ICSCRM 2019「炭化ケイ素および関連材料に関する世界最大の国際会議」にて3件発表

2019年9月29日~10月4日開催の「ICSCRM 2019(※)」にて、宇治原研究室から朱燦特任助教、藤榮文博さん(D2)、海野高天さん(M1)、が発表しました。
今回の会場は、京都国際会議場です。

●朱燦,遠藤友樹,海野高天,小泉晴彦,原田俊太,田川美穂,宇治原徹
10月3日 11:30~11:45 (口頭)
Growth and Wafer Manufacturing, Alternative Bulk Growth
「Application of high-quality SiC solution growth to large size crystal」

●朱燦,原田俊太,田川美穂,宇治原徹
9月30日 15:45~17:45 (口頭)
「The control of conduction type in high quality bulk solution growth of SiC」

●海野高天,朱燦,原田俊太,小泉晴彦,田川美穂,宇治原徹
10月3日 12:00~12:15 (口頭)
Growth and Wafer Manufacturing, Alternative Bulk Growth
「Threading Screw Dislocations Conversion and Suppression of Inclusions in 3-inch 4° off-axis C-face 4H-SiC Solution Growth with Pure Si」
高品質な 4H-SiC 単結晶を成長させる手法として、溶液法が期待されています。溶液成長では、成長表面のマクロステップの進展により貫通転位が基底面の欠陥に変換するため、その後の厚膜成長により基底面の欠陥を外部に排出し高品質化を行うことが可能です。一方でマクロステップは発達しすぎると溶媒の巻き込み(インクルージョン)の発生を引き起こすため、成長表面のマクロステップの高さを制御することが重要となります。これまでに我々は、Si-5at%Ti 溶媒を用いた C 面上での結晶成長により貫通転位を変換し、Si-Cr 溶媒を用いて厚膜成長を行う二段階の成長により高品質化に成功しています。本研究ではこれを 3 インチ 4 度オフの結晶に適用する ために溶媒組成の検討を行い、一段階目の結晶成長において貫通転位変換とインクルージョンの抑制を両立することを達成しました。

●藤榮文博,原田俊太,周防裕政,加藤智久,宇治原徹
10月1日 9:15~9:30 (口頭)
Characterization and Defect Engineering
「Nitrogen Concentration Dependence of Expansion Behavior of Double Shockley Stacking Faults in 4H-SiC Studied by In-situ Synchrotron X-ray Topography」
4H-SiCは次世代パワーデバイス用材料として期待されています。
低抵抗n形SiC基板を得るには高濃度の窒素添加がなされていますが、それにより高温環境下において積層欠陥が形成・拡大することが報告されています。積層欠陥が拡大する速度は温度と窒素によって変わることが示唆されているが、従来の手法では、高温での挙動は明らかになっていませんでした。そこで今回の実験では、実際の高温環境での詳細な挙動を正確に知るためにその場観察を行いました。

※ICSCRMは、炭化ケイ素(SiC)およびその他のワイドバンドギャップ(WBG)半導体のすべての分野で技術的な議論を行うための主要なフォーラム。
世界をリードする科学者、著名な専門家、経験豊富なエンジニア、および世界中のWBG半導体のさまざまな分野で働く若い学生を集め、上記の分野における科学的および技術的進歩の両方を報告および議論されます。