株式会社UJ-Crystalを設立

宇治原研究室で最先端の技術を以て研究開発された、SiCの高品質な結晶をお届けするため、株式会社UJ-Crystal を設立しました。
下記に、 UJ-Crystal のご紹介をいたします。

超高品質ソリューションSiCウエハ

　ソリューションSiCは、名古屋大学で開発された溶液成長法により製造したSiC ウェハです。この方法では、SiCの製造に一般的に用いられる昇華法と比較して、転位欠陥密度が低い超高品質の結晶を作ることができます。
SiCはパワー半導体と呼ばれる電力用半導体であり、電気自動車用インバーター、鉄道用のインバーター、太陽光発電や風力発電などの電力制御のためのインバーターなどに利用され、省電力化によりカーボンニュートラルに貢献します。

高い品質結晶
ソリューションSiCは、高温のシリコン合金溶液から結晶を徐々に析出させます。このように製造された結晶は含まれる欠陥が少なく、非常に高い結晶品質を示します。
結晶品質の高さは、パワーデバイスの性能を高め、またコストダウンにもつながります。

Ｎ型とＰ型のどちらも実現
半導体には、Ｎ型とＰ型の二種類が存在し、用途によって使い分けます。ソリューションSiCはＮ型SiCだけではなく、従来の製造法では困難であったＰ型 SiCウェハを実現することができます。これにより、自然エネルギーの有効活用や電力網の高効率化に寄与します。

会社概要

商号　　　　株式会社UJ-Crystal
業務内容 　　パワー半導体SiC（炭化ケイ素・シリコンカーバイド）ウェハの開発・製造・販売
設立年月日　 2021年6月25日
資本金　　　 500万円
所在地　　　〒464-8601
　　　　　　名古屋市千種区不老町　名古屋大学インキュベーション施設　108号室北

株式会社UJ-Crystal のホームページ
こちらよりご覧頂けます。