コンピュータ内に再現した結晶成長装置で最適化を行い、圧倒的に短い期間で6インチSiC基板を実現

宇治原研究室にて、SiCの溶液成長にて作製した高品質な6インチ基板について、2021年10月25日にプレスリリースをしました。

プレスリリースの内容は、こちらよりご覧いただけます。

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