SiC ( 炭化ケイ素、シリコン・カーバイド)

電力制御に利用する「パワー半導体」の新たな材料として、現行のSiの特性を10倍ほどに大きく超えると期待されているSiCの研究開発について。

SiCは、これまでSi(シリコン、ケイ素)が使われていた、コンバータやインバータといった電力変換器の、電力制御に利用する「パワー半導体」の新たな材料として、開発が期待されています。


SiをSiCに置き換えることで、現行の材料であるSiの特性を、10倍ほどに大きく越える「省エネの切り札」となり、電力変換器の大幅な効率向上や小型化が見込めるため、電力会社や自動車メーカー、電機メーカーなども大きな期待を寄せています。


一部ではSiCの使用が始まっていますが、性能の面ではまだまだ大きな伸びしろがあります。我々は、このSiCをパワー半導体の材料として(Siからの)置き換えを可能にする、高品質で大きな結晶を開発することをテーマとしています。


パワー半導体*=例えば、発電所で電力を直流から交流に変換する、工場で生産設備のモーターを動かす、マイコンやLSIを動作させるなど、コンバータやインバータといった電力変換器で、モーターなどの制御や電力の変換を行う半導体のこと。「演算」や「記憶」などの働きをするマイコン(CPU)やメモリなどのLSIを半導体と呼ぶのに対し、パワー半導体は、扱う電圧や電流が大きいことが特徴です。

名古屋大学開催ICMaSS2019「持続可能性のための材料とシステムに関する国際会議」にて14件発表

2019.11.1~11.3に開催された、ICMaSS2019「持続可能性のための材料とシステムに関する国際会議」で、宇治原研から14件発表を行いました。 この国際会議は,2005年以降継続的に隔年開催(2015年までは […]

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名古屋大学工学研究科主催の「テクノ・シンポジウム名大」にて講演

2019年10月11日(金)に開催された、名古屋大学工学研究科主催の「テクノ・シンポジウム名大」にて、宇治原徹教授が講演を行いました。http://www.eess.mech.nagoya-u.ac.jp/pdf/Tec […]

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ICSCRM 2019「炭化ケイ素および関連材料に関する世界最大の国際会議」にて3件発表

2019年9月29日~10月4日開催の「ICSCRM 2019(※)」にて、宇治原研究室から朱燦特任助教、藤榮文博さん(D2)、海野高天さん(M1)、が発表しました。今回の会場は、京都国際会議場です。 ●朱燦,遠藤友樹, […]

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高温環境下における4H-SiC結晶中の積層欠陥拡大の放射光X線トポグラフィーによるその場観察

2019年9月29日~10月4日開催の「ICSCRM 2019(※)」でも発表をした、 「高温環境下における4H-SiC結晶中の積層欠陥拡大の放射光X線トポグラフィーによるその場観察」について藤榮文博さん(D2)の研究内 […]

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第80回応用物理学会秋季学術講演会で発表

2019.9.18~21、第80回応用物理学会秋季学術講演会で、宇治原 徹教授、田川 美穂准教授、原田 俊太講師、沓掛 健太郎客員准教授、石川晃平さん(D3)、角岡洋介さん(D3)、鷲見隼人さん(D2)、藤榮文博さん(D […]

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ICCGE-19(第19回 結晶成長と国際エピタキシー会議)で発表

2019.7.28~8.2に開催される、第19回 結晶成長と国際エピタキシー会議(ICCGE-19)で、宇治原研究室から宇治原 徹教授、原田俊太講師、朱 燦特任助教、藤榮文博さん(D2)、鷲見隼人さん(D2)、安藤圭理さ […]

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AI活用で結晶成長*にアプローチ!次世代に活躍するSiC

*結晶成長=結晶を増大させること 次世代と言われるIoT*や5G*の社会に不可欠な、革新的な省エネルギー材料の開発が待たれていますが、宇治原研究室では、省エネルギーを飛躍的に可能にするSiC(シリコンカーバイド)の結晶成 […]

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日本学術振興会 素材プロセシング第69委員会で発表

2019.7.16に開催される日本学術振興会 素材プロセシング第69委員会 第2分科会(新素材関連技術) 第73回研究会で、宇治原 徹教授が「SiC溶液成⻑法の最適条件予測におけるデータ科学の活⽤」について発表します。 […]

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応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会で招待講演

2019年7月12日(金)  に開催された 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第218回研究集会で、宇治原 徹 教授が招待講演を行いました。会場は、 応物会館 3階会議室です。 ・主催/ モデリング研究 […]

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国産技術で作る 次世代に活躍するSiC

SiC(シリコンカーバイド)は運輸、製造、民生などあらゆる分野で燃費向上、低エネルギー損失を実現できる、大注目の次世代パワーデバイスの基幹材料です。我々は様々な視点からSiCの溶液成長法にアプローチし国産技術の実現を目指 […]

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