ICAE 2019「先端電子材料国際会議」にて、招待講演
2019.11.5～8に開催された、ICAE 2019<最先端電子材料国際会議>にて、宇治原 徹教授が招待講演を行いました。 発表内容は以下の通りです。 ●Ujihara Toru《招待講演》Material […]
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電力制御に利用する「パワー半導体」の新たな材料として、現行のSiの特性を10倍ほどに大きく超えると期待されているSiCの研究開発について。
SiCは、これまでSi（シリコン、ケイ素）が使われていた、コンバータやインバータといった電力変換器の、電力制御に利用する「パワー半導体※」の新たな材料として、開発が期待されています。
SiをSiCに置き換えることで、現行の材料であるSiの特性を、10倍ほどに大きく越える「省エネの切り札」となり、電力変換器の大幅な効率向上や小型化が見込めるため、電力会社や自動車メーカー、電機メーカーなども大きな期待を寄せています。
一部ではSiCの使用が始まっていますが、性能の面ではまだまだ大きな伸びしろがあります。我々は、このSiCをパワー半導体の材料として（Siからの）置き換えを可能にする、高品質で大きな結晶を開発することをテーマとしています。