ECSCRM2020・2021「13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials」にて、3件発表
2021.10.24～28、ECSCRM2020・2021にて、朱燦特任助教、劉欣博さん(D3)、 黨一帆さん(D3)が発表をしました。 発表内容は次の通り● LIU Xinbo X. LIU, Y. DANG […]
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電力制御に利用する「パワー半導体」の新たな材料として、現行のSiの特性を10倍ほどに大きく超えると期待されているSiCの研究開発について。
SiCは、これまでSi（シリコン、ケイ素）が使われていた、コンバータやインバータといった電力変換器の、電力制御に利用する「パワー半導体※」の新たな材料として、開発が期待されています。
SiをSiCに置き換えることで、現行の材料であるSiの特性を、10倍ほどに大きく越える「省エネの切り札」となり、電力変換器の大幅な効率向上や小型化が見込めるため、電力会社や自動車メーカー、電機メーカーなども大きな期待を寄せています。
一部ではSiCの使用が始まっていますが、性能の面ではまだまだ大きな伸びしろがあります。我々は、このSiCをパワー半導体の材料として（Siからの）置き換えを可能にする、高品質で大きな結晶を開発することをテーマとしています。
パワー半導体*＝例えば、発電所で電力を直流から交流に変換する、工場で生産設備のモーターを動かす、マイコンやLSIを動作させるなど、コンバータやインバータといった電力変換器で、モーターなどの制御や電力の変換を行う半導体のこと。「演算」や「記憶」などの働きをするマイコン(CPU)やメモリなどのLSIを半導体と呼ぶのに対し、パワー半導体は、扱う電圧や電流が大きいことが特徴です。
