ICNS-13(第13回窒化物半導体国際会議2019)で発表
2019.7.7～7.12に開催された、第13回窒化物半導体国際会議2019（ICNS-13）で、宇治原研究室から井爪 将さん（M2）がポスター発表しました。
この会議は、様々な国の大学や企業から研究者が参加して、III族窒化物半導体をベースとした材料とデバイスの、科学的・技術的な進歩を発表する、大変刺激的な会議です。
開催は2年に1度。今年はアメリカのワシントン州ベルビュー、シアトルのイーストサイドで開かれました。
《用語解説》
「窒化物半導体」とは、青色LEDの開発で、その材料であるGaN（窒化ガリウム）が注目を集めたことを皮切りに、世界中で活発に研究されているⅢ-Ⅴ族（周期表のグループ分け）の半導体を指します。化学的に高温（500℃程度）でも安定している、非常に固い、環境負荷が低いなどの特徴から、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が有名。
13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
発表前、研究室での練習は、みんなの目も真剣
《参考》
GaN（窒化ガリウム）の結晶を壊さずに欠陥を検出する技術を開発