欠陥評価

高性能なデバイスを作るため、材料として最適であるSiCおよびGaN結晶の原子配列の乱れである「欠陥」の発生メカニズムを解明して、最強に高品質な結晶成長の確立を側面から支える

原子が規則正しく並んでいるイメージがある「結晶」ですが、実は、原子配列の乱れである「欠陥」が多く存在します。高性能なデバイスを作るためには、材料となるSiCやGaNの結晶そのものの欠陥低減が不可欠です。


我々は、様々な方法でこの「欠陥」を観察し、その発生メカニズムを解明することにより、最強に高品質な結晶成長の確立を側面から支えます。


また一方で、欠陥をうまくコントロールすることで、材料の特性を向上させる研究も行っています。


名古屋大学開催ICMaSS2019「持続可能性のための材料とシステムに関する国際会議」にて14件発表

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ICSCRM 2019「炭化ケイ素および関連材料に関する世界最大の国際会議」にて3件発表

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