JCCG-50「第50回結晶成長国内会議」にて、5件発表
2021.10.27～29、JCCG-50にて、宇治原徹教授、原田俊太准教授、党一帆さん(D3)、 服部泰河さん(M1) が発表しました。 発表は、次の通り ● 宇治原徹” 溶液法による6インチS […]
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高性能なデバイスを作るため、材料として最適であるSiCおよびGaN結晶の原子配列の乱れである「欠陥」の発生メカニズムを解明して、最強に高品質な結晶成長の確立を側面から支える
原子が規則正しく並んでいるイメージがある「結晶」ですが、実は、原子配列の乱れである「欠陥」が多く存在します。高性能なデバイスを作るためには、材料となるSiCやGaNの結晶そのものの欠陥低減が不可欠です。
我々は、様々な方法でこの「欠陥」を観察し、その発生メカニズムを解明することにより、最強に高品質な結晶成長の確立を側面から支えます。
また一方で、欠陥をうまくコントロールすることで、材料の特性を向上させる研究も行っています。