●国際学会
“Change in thermal conductivity of rutile-type TiO2 by introducing periodic planar faults”，
N. Kosaka, T. Yagi, K. Tanaka, H. Inui, M. Tagawa, T. Ujihara, S. Harada,
December 4-5, NMHT-VI: Nanoscale and Microscale Heat Transfer 2018 ，Finland, ecember 4-5(2018), poster.

“Dehydration stability analysis of DNA-guided nanoparticle superlattices”，
H. Sumi, T. Isogai, S. Kojima, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa,
November 28, 2018 MRS fall meeting(MATERIALS RESEARCH SOSIETY)，Boston, November 25-30(2018), poster.

“Nondestructive Visualization of Threading Dislocations in GaN by Micro Raman Mapping”，
N. Kokubo, Y. Tsunooka, F. Fujie, J. Ohara, S. Onda, H. Yamada, M. Shimizu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
November 13, International Workshop on Nitride Semiconductors 2018(IWN2018)，Kanazawa, Japan, November 11-16(2018).

“Machine learning for SiC crystal growth (modeling, optimization and visualization)”，
T. Ujihara,
November 3-7, International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals(ISSCGF)，Convention Hall of Hotel Sakan, Akiu, Sendai, Japan, November 3-7(2018).

“Structural change and stability analysis of DNA-guided nanoparticle fcc superlattice by dehydration”，
H. Sumi, T. Isogai, S. Kojima, N. Ohta, H. Sekiguchi, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa,
November 3-7, International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals(ISSCGF)，Convention Hall of Hotel Sakan, Akiu, Sendai, Japan, November 3-7(2018), poster.

★”Solution Growth of High-Quality SiC Crystals for Power Devices”，
S. Harada,
October 23, 第６回日中結晶成.結晶工学討論会(日中シンポ)，千里ライフサイエンスセンター サイエンスホール, October 21-24(2018), invited.

“Numerical Investigation of Optimal Crystal Growth Furnace Design in the RF-heating TSSG Process”，
T. Horiuchi, L. Wang, T. Yamamoto, A. Sekimoto, Y. Okano, T. Ujihara,
October 23, International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)，Sheraton Kona Resort & Spa, Hawaii Island，October 21-24(2018), oral.

“Numerical Analysis of Three-dimensional Marangoni Convection During SiC Crystal Growth by the RF-TSSG Method”，
L. Wang, T. Horiuchi, A. Sekimoto, Y. Okano, T. Ujihara, S, Dost,
October 22, International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)，Sheraton Kona Resort & Spa, Hawaii Island，October 21-24(2018), poster.

“Prediction System of CFD Simulation in Solution Growth Constructed by Machine Learningapplication for Sic Top-seeded Solution Growth”，
T. Ujihara, Y. Tsunooka, T. Endo, C. Zhu, S. Harada,
October 22, International Workshop on Modeling in Crystal Growth (IWMCG-9)，Sheraton Kona Resort & Spa, Hawaii Island，October 21-24(2018), oral.

“High-quality SiC crystal grown with solution method by controlling macro-step structure”，
T. Ujihara,
October 18, Mathematical Aspects of Surface and Interface Dynamics 16，Tokyo University，October 17-19(2018).

“Change in Thermal Conductivity By Hydrogen Intercalation in Amorphous WO3 Film”，
A. Nakamura, S. Harada, R. Kobayashi, M. Tagawa, T. Ujihara,
October 3, AiMES 2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting，The Moon Palace Resort, Cancun，September 30-October 4(2018),1110 G04 .

“Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collectors on Cycling Stability of Li Metal Anodes”，
K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
October 3, AiMES 2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting，The Moon Palace Resort, Cancun，September 30-October 4(2018),114 A02 .

“In-situ synchrotron X-ray topography observation of stacking faults in SiC”，
F. Fujie, S. Harada, H. Suo, H. Koizumi, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 4,6, the 14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (XTOP 2018)，Villa Romanazzi Carducci, Italy，September 3-7(2018), poster.

“Application of C face dislocation conversion technique to 2-inch SiC crystal growth”，
X. Liu, C. Zhu, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 5, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)， International Convention Centre，September 2-6(2018),WE.01a.02, oral.

“Efficient search technique of ideal conditions in high quality SiC solution growth using prediction mogel made by machine learing”，
Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 3, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)， International Convention Centre，September 2-6(2018), MO.P.SG9, poster.

“Control of macrostep eight by switching solution flow during solution growth of SiC”，
T. Endo, C. Zhu, S. Harada, H. Koizumi, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 3, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)， International Convention Centre，September 2-6(2018), MO.P.SG4, poster.

“Evaluation of Basal Plane Dislocation Behavior in the Epitaxial Layer on a 4H-SiC Wafer Fabricated by the Solution Growth Method”，
K. Seki, K. Kusunoki, S. Harada, T. Ujihara,
September 3, European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018)， International Convention Centre，September 2-6(2018), MO.P.SG5, poster.

“Present status of machine learning technology for high quality crystal growth and the collaboration with student startups”，
T.Ujihara,
August 17, The 3rd Academic Seminar on Material Science and Engineering，national university of singapore，August 17(2018).

“Real-time visualization for temperature and fluid flow distributions in SiC solution growth using a prediction model constructed with machine learning”，
G. Hatasa,
August 16, NUS-NU JOINT STUDENT SEMINAR，national university of singapore，August 16(2018).

“The effect of crystal orientation of Cu current collectors on electrodeposition morphology of Li metal”，
K. Ishikawa,
August 16, NUS-NU JOINT STUDENT SEMINAR，national university of singapore，August 16(2018).

“DNA-controlled assembly of 2D nanoparticle lattices on lipid bilayers”，
T. Isogai, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa,
July, 17th International Conference on Organized Molecular Films（ICOMF17），NYU Tandon School of Engineering，July 23-27(2018), poster.

★”Process Design of SiC Solution Growth with Machine Learning Technology”，
T. Ujihara,
July 10, Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials（APCSCRM2018），Beijing，July 9-11(2018), invited.

●国内学会
“シミュレーションと機械学習を用いた結晶成長プロセスの最適化”，
角岡洋介, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
オープンCAEシンポジウム2018，2018年12月7日，大阪府立国際会議場，2018年12月7日, [A11], (口頭).

★”Thermal conduction in Magneli phase titanium oxides with an ordered arrangement of planar defects”，
原田俊太,
第30回 相変化研究会シンポジウム(PCOS2018)，2018年12月6日～7日，黒部市宇奈月国際会館，2018年12月7日, (招待).

“金属 Li 負極における単結晶 Cu 集電体の結晶方位とサイクル特性の関係”，
石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
第59回 電池討論会，2018年11月29日，大阪府立国際会議場，2018年11月27日～29日, [3E06], (口頭).

“金属 Zn 負極の方位配向がデンドライト状析出の形成に及ぼす影響”，
森仁志, 石川晃平, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
第59回 電池討論会，2018年11月28日，大阪府立国際会議場，2018年11月27日～29日, [2G03], (口頭).

“ラマン分光法と機械学習によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析”，
小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
先進パワー半導体分科会 第5回講演会，2018年11月7日，京都テルサ，2018年11月6日～7日, (研究奨励賞記念講演).

“SiC溶液成長における機械学習を用いた成長条件の最適化”，
角岡洋介, 鳴海大翔 , 安藤圭理, 沓掛健太朗, 朱燦, 林宏益, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
先進パワー半導体分科会 第5回講演会，2018年11月6日，京都テルサ，2018年11月6日～7日,[IA-2S], (ポスター).

“DNA修飾ナノ粒子の結晶化における溶媒組成の結晶構造への影響”，
磯貝卓巳, 鷲見隼人, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂,
第47回結晶成長国内会議, 2018年11月2日, 仙台市戦災復興記念館, 2018年10月31日～11月2日, [02a-C08], (口頭).

“DNA修飾ナノ粒子を用いたコロイド単結晶の脱水に伴う構造変化と安定性の解析”，
鷲見隼人, 磯貝卓巳, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂,
第47回結晶成長国内会議, 2018年11月2日, 仙台市戦災復興記念館, 2018年10月31日～11月2日, [02a-C07], (口頭).

“TSSG法SiC結晶成長におけるるつぼ温度分布最適化に向けた逆解析”，
堀内鷹之, 関本敦, 岡野泰則, 宇治原徹,
第47回結晶成長国内会議, 2018年11月1日, 仙台市戦災復興記念館, 2018年10月31日～11月2日, [01p-P32], (口頭).

“機械学習により最適化されたSiCウエハのX線侵入深さに着眼した深さ方向の歪み分布の定量化”，
小泉晴比古, 花田賢志, 長田圭一, 成田潔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
第47回結晶成長国内会議, 2018年11月1日, 仙台市戦災復興記念館, 2018年10月31日～11月2日, [01p-P31], (口頭).

“タンパク質をモデルとした溶液成長における溶媒和構造と結晶性との相関”，
小泉晴比古, 宇田聡, 塚本勝男, 橘勝, 小島謙一, 宇治原徹,
第47回結晶成長国内会議, 2018年10月31日, 仙台市戦災復興記念館, 2018年10月31日～11月2日, [31a-A06], (口頭).

“窒素・ボロン共添加SiC結晶における積層欠陥挙動のX線トポグラフィーその場観察”，
藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹,
公益社団法人 日本金属学会 2018 年秋期講演（第 163 回）, 2018年9月21日, 東北大学, 2018年9月19日～21日, [S8.24].

“還元熱処理により作製した Magneli 相酸化チタンの周期構 造と熱伝導特性”，
原田俊太, 小坂直輝, 八木貴志, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹,
公益社団法人 日本金属学会 2018 年秋期講演（第 163 回）, 2018年9月20日, 東北大学, 2018年9月19日～21日, [S3.27], (口頭).

“プロジェクションマッピングと機械学習を用いた結晶成長プロセスにおける熱流動の可視化システムの構築”，
畑佐豪記, 角岡洋介, 李相一, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 石黒祥生, 宇治原徹,
第23回日本バーチャルリアリティ学会大会, 2018年9月20日, 東北大学青葉山新キャンパス 青葉山コモンズ, 2018年9月19日～21日, [21E-4],(口頭).

“High quality and inclusion suppression by switching flow in 3-inch SiC solution growth”，
C. Zhu, T. Endo , S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月20日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日～21日, [20p-221C-7],(口頭).

“ルチル型TiO2単結晶への周期的な面欠陥導入に伴う熱伝導率の変化”，
小坂直輝, 八木貴志, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹, 原田俊太,
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月20日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日～21日, [20a-234B-8],(口頭).

“ベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索”，
長田圭一, 角岡洋介, 成田潔, 小泉晴比古, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月20日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日～21日, [20p-221C-10],(口頭).

“SiC溶液成長における熱流体解析の機械学習を用いたパラメータ影響の可視化”，
沓掛健太朗, 角岡洋介, 長田圭一, 安藤圭理, 林宏益, 朱燦, 鳴海大翔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月20日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日～21日, [20p-221C-9],(口頭).

“機械学習によるGaN MOVPE結晶成長シミュレーション結果の予測”，
富澤巧, 川上賢人, 角岡洋介, 洗平昌晃, 岡本直也, 原田俊太, 芳松克則, 宇治原徹, 白石賢二,
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月19日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日～21日, [19p-PA4-21],(ポスター).

“枯渇効果を利用したDNA修飾ナノ粒子結晶のサイズ向上”，
小島憧子, 鷲見隼人, 磯貝卓巳, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂,
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月19日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日～21日, [19p-231C-7],(口頭).

★”ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析”，
小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一,山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日～21日, [18a-146-7],(招待講演).

“GaN基板からエピタキシャル膜へ伝播する転位の分類と挙動の解明”，
井爪将, 小久保信彦, 山田永, 恩田正一, 大原淳士, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日～21日, [18a-146-5],(口頭).

“カチオンによるDNA修飾ナノ粒子の配列制御”，
磯貝卓巳, 鷲見隼人, 小島憧子, 太田昇, 関口博史, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂,
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日～21日, [18p-222-8],(口頭).

★”AI技術で結晶成長研究開発を桁違いに高速にする -SiC結 晶成長を例にして-“，
宇治原徹,
2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年9月18日, 名古屋国際会議場, 2018年9月18日～21日, [18p-CE-4],(招待講演).

“随伴感度解析を用いたTSSG法SiC結晶成長におけるるつぼ内熱対流の最適化”，
堀内鷹之, 関本敦, 岡野泰則, 宇治原徹,
化学工学会 第50回秋季大会, 2018年9月19日, 鹿児島大学　郡元キャンパス, 2018年9月19日～20日.

“AlN分散樹脂における分散剤表面修飾による熱伝導率向上”，
安田拓実, 宇治原徹, 原田俊太, 竹内幸久,
日本セラミックス協会　第31回秋季シンポジウム, 2018年9月6日, 名古屋工業大学, 2018年9月5日～7日, (ポスター).

“溶液成長法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用”，
原田俊太,
第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会, 2018年7月14日, KKRホテル熱海, 2018年7月13日～14日, (口頭).

“高断熱性熱スイッチ開発に向けたLi挿入によるWO3薄膜の熱伝導率制御”，
小林竜大,
第2回フォノンエンジニアリング研究グループ研究会, 2018年7月13日, KKRホテル熱海, 2018年7月13日～14日, (ポスター).

★”溶液成長法による高品質SiC結晶成長と機械学習の活用”，
宇治原徹,
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ, 2018年7月1日, 大阪電気通信大学, 2018年7月1日, (招待講演).

“SiC溶液成長における最適成長条件の自動探索”，
角岡洋介,
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ, 2018年7月1日, 大阪電気通信大学, 2018年7月1日, (口頭).

“機械学習を用いた拡張現実その場観察炉の開発”，
畑佐豪記,
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所ワークショップ, 2018年7月1日, 大阪電気通信大学, 2018年7月1日, (口頭).

★”機械学習を活用した最適成長条件の探索と大口径化に向けた検討”，
宇治原徹,
日本結晶成長学会第102回バルク成長分科会研究会, 2018年3月28日, 名古屋大学, 2018年3月28日, (招待講演).

★”SiC溶液成長における欠陥変換による高品質化”，
原田俊太,
日本結晶成長学会第102回バルク成長分科会研究会, 2018年3月28日, 名古屋大学, 2018年3月28日, (招待講演).

“機械学習による流体シミュレーション結果の高速予測と SiC 溶液成長への応用”，
宇治原徹, 角岡洋介, 畑佐豪記, 林宏益, 遠藤友樹, 朱燦, 村井良多, 原田俊太, 田川美穂,
日本金属学会 2018年春期(第162回)講演大会, 2018年3月20日, 千葉工業大学 新習志野キャンパス, 2018年3月19日～21日, (セッション).

“NEA半導体光陰極から放出される電子のもつエミッタン スと高い空間コヒーレンス”，
桑原真人, 浅野秀文, 宇治原徹, 田中信夫, 齋藤晃,
第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月20日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日～20日, [20p-B303-6], (口頭).

“還元熱処理により作製した酸化チタン自然超格子の周期構造解析”，
原田俊太, 田中克志, 乾晴行, 田川美穂, 宇治原徹,
第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月20日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日～20日, [20a-C304-5], (口頭).

“ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析”，
小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月19日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日～20日, [19a-E202-1], (口頭).

“SiC溶液成長における成長中の溶液流れ切り替えによる結晶全面のステップフローの安定化”，
遠藤友樹, 朱燦, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月19日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日～20日, [19a-D103-4], (口頭).

“SiC溶液成長における熱流体解析と機械学習を用いた最適化手法の提案”，
角岡洋介, 小久保信彦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月19日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日～20日, [19a-D103-5], (口頭).

“放射光トポグラフィーによる溶液法ウエハ上へのエピ成長過程における転位伝播挙動の評価”，
関和明, 楠一彦, 原田俊太, 宇治原徹,
第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月19日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日～20日, [19a-D103-8], (口頭).

“RF-TSSG法によるSiC結晶成長時の移動現象の3次元解析”，
岡野泰則, ワンライ, 堀内鷹之, 関本敦, 宇治原徹,
第65回応用物理学会 春季学術講演会, 2018年3月17日, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 2018年3月17日～20日, [17a-B301-9], (口頭).

“焼結助材を用いない窒化アルミニウム基板作製法”，
清水啓希, 宇治原徹, 原田俊太, 竹内幸久,
公益社団法人日本セラミックス協会　2018年年会, 2018年3月15日, 東北大学, 2018年3月15日～17日, [1P202], (セッション).

★”結晶成長プロセスにおける高速最適化と可視化技術”，
宇治原徹,
金属学会シンポジウム 材料評価・プロセスにおける「使える」インフォマティクス, 2018年2月9日, 名古屋大学 野依記念学術記念交流館, 2018年2月9日, (招待講演).