●国際学会
“Solution growth of AlN single crystal on sapphia”,
H. Matsubara, K. Mizuno, Y. Takeuchi, Y. Takeda, Y. Aoki, K. Kohara, and T. Ujihara,
October 18, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012), October 14-19, 2012, Sapporo, Japan, Thp-GR-59.

★　”Direct Observation of Mini-bands in AlGaAs/GaAs Superlattice for intermediate Band Solar Cell”,
D. Shimura, K. Hashimoto, F. Ichihashi, S. Harada, T. Ito, M. Kuwahara, M. Matsunami, S. Kimura, T. Sakai and T. Ujihara,
September 27, International Union of Materials Research Societies International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012), PACIFICO YOKOHAMA, Yokohama, Japan, September 23-28(2012),A-1-I27-008.

“Direct Observation of Defect Evolution during Solution Growth of SiC by Synchrotron X-ray Topography”,
S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, and T. Ujihara,
September 25, International Union of Materials Research Societies International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012), PACIFICO YOKOHAMA, Yokohama, Japan, September 23-28(2012), D-7-P-25-001.

“Evolution of Threading Edge Dislocation During Solution Growth of SiC”,
S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, and T. Ujihara,
September 25, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, September 25-27(2012), L-2-2.

“Solution growth of DPB-free 3C-SiC”,
K. Seki, S. Harada, T. Ujihara,
September 4, The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012), Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia, September 2-6(2012),TuP-20.

“Reduction of threading screw dislocation density utilizing defect conversion during solution growth of 4H-SiC”,
S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, T. Ujihara,
September 4, The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012), Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia, September 2-6(2012),TuP-28.

“Influence of solution flow on step bunching in solution growth of SiC”,
C. Zhu, K. Seki, S. Harada, H. Niinomi, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 4, The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012), Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia, September 2-6(2012),TuP-77LN.

“Possibility for elimination of dislocations in SiC crystal: conversion of threading edge dislocations by solution growth”,
S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, C. Zhu, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 4, The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012), Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia, September 2-6(2012),TuP-99LN.

“Effect of surface polarity on the conversion of threading dislocations in solution growth”,
Y. Yamamoto, S. Harada, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara,
September 4, The 9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM-2012), Hotel Saint Petersburg, Saint-Petersburg, Russia, September 2-6(2012),We7-4.

★　”Spin-polarized and Pulsed TEM Using a Laser-driven Semiconductor Photocathode”,
N. Tanaka, M. Kuwahara, K. Saitoh, S. Kusunoki, T. Ujihara, H. Asano, Y. Takeda and T. Nakanishi,
Microscopy & Microanalysis 2012, Phoenix, USA, July 30 – August 2(2012).

“Spin-polarized TEM using an NEA photocathode”,
M. Kuwahara, S. Kusunoki, K. Saitoh, T. Ujihara, and N. Tanaka,
The 3rd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC3), Gifu, Japan, May 9-11(2012).

“Efficient Process for Ultrahigh Quality 4H-SiC Crystal Utilizing Solution Growth on Off-axis Seed Crystal”,
S. Harada, Y. Yamamoto, K. Seki, A. Horio, T. Mitsuhashi, T. Ujihara,
April 10, 2012 MRS Spring Meeting & Exhibit, Moscone West Convention Center Martiott Marquis San Francisco, California, USA, April 9-13(2012).

●国内学会
“Al融液窒化法を用いたAlN多結晶の作製におけるMgによる窒化促進効果の検証”,
水野恒平, 松原弘明, 永冶仁, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 加納豊広, 青木祐一, 小原公和,
2013年3月19日, 日本セラミックス協会2013年　年会, 東京工業大学大岡山キャンパス, 2012年3月17日-19日, 3I07.

“ＤＮＡナノテクノロジー：ＤＮＡガイドのナノ粒子結晶化”,
田川美穂、Oleg Gang、磯貝卓巳、赤星祐樹、赤田英里、Piednoir Agnes、原田俊太、宇治原徹,
2月19日, 2012年度中部支部講演会, 名古屋大学　東山キャンパス, 愛知県.

“Al融液窒化法において成長温度がAlN組織形成に与える影響”,
水野恒平,
11月22日, 第22回学生による材料フォーラム, 豊橋サイエンスコア, 2012年11月22日, 85.

“高分解紫外光電子分光法による超格子ミニバンドの直接観察”,
市橋史朗,
11月22日, 第22回学生による材料フォーラム, 豊橋サイエンスコア, 2012年11月22日, 101

“溶液成長過程における貫通転位変換を利用した高品質4H-SiCの実現”,
原田俊太, 山本祐治, 関和明, 田川美穂, 宇治原徹,
11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P2

“透過電子顕微鏡法によるSiC溶液成長における欠陥挙動解析”,
原田俊太, 國松亮太, 田川美穂, 山本悠太, 荒井重勇, 田中信夫, 宇治原徹,
11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P3

“Si-C-X溶媒を用いたSiC溶液成長における結晶化多形の熱力学的考察”,
堀尾篤史, 原田俊太,宇治原徹,
11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P4

“溶液成長法におけるSiC単結晶のキャリア密度および不純物濃度の測定”,
藤井邦治, 武井康一, 長井一郎, 三谷武史, 小松直佳, N.Senguttuvan, 高橋哲夫, 松本祐司, 宇治原徹, 加藤智久, 蔵重和央, 奥村元,
11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P5

“Si-C溶液で成長される4H-SiC結晶の成長レート、表面形態の過飽和度依存性”,
小松直佳, 三谷武史, 岡村雅之, 高橋徹夫, 加藤智久, 宇治原徹, 松本祐司, 蔵重和央, 奥村元,
11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P10

“TSSG法による高品質3C-SiC”,
関和明, 原田俊太, 宇治原徹,
11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P11

“電流による4H-SiC溶液成長の成長速度制御”,
三谷武史, 岡村雅之, 高橋徹夫, 小松直佳, 加藤智久, 宇治原徹, 松本祐司, 蔵重和央, 奥村元,
11月19日, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会　第21回講演会,大阪市中央公会堂, 2012年11月19日-20日, P13

“SiC溶液成長における窒素ドープによる積層欠陥の形成”,
原田俊太, 関和明, 楠一彦, 田川美穂, 宇治原徹,
11月10日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42) ,九州大学, 2012年11月9日-11日, 10PS11.

“一方向の溶液流れ下におけるSiCのステップバンチングの挙動”,
朱燦, 原田俊太, 関和明, 新家寛正, 田川美穂, 宇治原徹,
11月10日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42) ,九州大学, 2012年11月9日-11日, 10PS09.

“3C-SiC溶液成長における双晶抑制”,
関和明, 原田俊太, 宇治原徹,
11月10日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42), 九州大学, 2012年11月9日-11日, 10PS10

“溶液法による高品質SiC結晶成長メカニズム”,
原田俊太, 山本祐治, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 田川美穂, 宇治原徹,
11月9日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42) ,九州大学, 2012年11月9日-11日, 09aB01.

“溶液法による3C-SiCバルク結晶成長”,
関和明, 原田俊太, 宇治原徹,
11月9日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42) ,九州大学, 2012年11月9日-11日, 09aB02.

“溶液法によるα-Al2O3上へのAlNヘテロエピタキシャル成長”,
松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 木藤泰男, 奥野英一, 宇治原徹,
11月9日, 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42) ,九州大学, 2012年11月9日-11日, 09aB05.

“紫外光電子分光法を用いた超格子ミニバンドの直接観察”
市橋史朗, 志村大樹, 桑原真人, 原田俊太, 伊藤孝寛, 松浪雅治, 木村真一, 宇治原徹,
9月24日, 公益社団法人応用物理学会・東海支部　第19回基礎セミナー「透明導電膜―基礎から応用―」,岐阜大学, 2012年9月24日, P-05.

“Al融液窒化法において成長温度がAlN組織形成に与える影響”,
水野恒平, 松原弘明,竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和,
9月20日, 公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム,名古屋大学, 2012年 9月19日-21日, 2P10

“VS法による高アスペクト比AlNウィスカーの成長”,
松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和,
9月19日, 公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム,名古屋大学, 2012年 9月19日-21日, 1PG10

★　“溶液法による超高品質SiC結晶成長”,
宇治原徹, 原田俊太,山本祐治, 関　和明,
9月19日, 公益社団法人日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム,名古屋大学, 2012年 9月19日-21日, 1Q22

“BaFe2(As,P)2超伝導薄膜のMBE成長と粒界特性の評価”,
森　康博,　坂上彰啓,　川口昂彦,　田渕雅夫,　宇治原徹,　竹田美和,生田博志,
9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-A2-8.

“NdFeAs (O,F)薄膜を用いた超伝導接合の作製”,
川口昂彦, 角谷直紀, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志,
9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-A2-9.

“溶液法によるサファイア基板上へのAlN単結晶成長”,
松原弘明, 水野恒平, 竹内幸久, 原田俊太, 木藤泰男, 奥野英一, 宇治原徹,
9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-PB4-6.

“DPBフリー3C-SiCの溶液成長”,
関　和明, 原田俊太, 宇治原徹,
9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-H7-3.

“4H-SiC溶液成長における貫通刃状転位の選択的変換”,
原田俊太, 山本祐治, 関　和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹,
9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-H7-6.

“SiC溶液成長における流れがステップバンチングに及ぼす影響”,
Can Zhu, 原田俊太, 関　和明, 新家寛正, 宇治原徹,
9月12日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 12a-H7-7.

“TSSG法で育成した4H-SiC結晶の窒素ドーピング挙動”,
楠　一彦, 関　和明, 原田俊太, 亀井一人, 矢代将斉, 宇治原徹,
9月11日,　公益社団法人応用物理学会　2012年秋季 第73回 応用物理学関係連合講演会,　愛媛大学城北地区,　愛媛県,　2012年9月11日-14日, 11p-PB2-2.

“レーザー励起半導体電子源を用いた30kVパルスTEMの開発”,
田中信夫, 桑原真人, 楠 聡一郎, 浅野秀文, 宇治原徹, 齋藤 晃, 竹田美和, 中西 彊,
日本顕微鏡学会第68回学術講演会, つくば国際会議場, 2012年5月14日-16日, .

“スピン編極TEMにおけるNEAフォトカソードからの低エネルギー分散ビームの生成”,
楠 聡一郎, 桑原真人, 宇治原徹, 浅野秀文, 竹田美和, 中西 彊, 齋藤 晃, 田中信夫,
日本顕微鏡学会第68回学術講演会, つくば国際会議場, 2012年5月14日-16日.