●国際学会
★”High Quality SiC Single Crystal Grown by Soltion Growth Method”，
T. Ujihara,
November 24, 2016 Fall Meeting of the Korean Ceramics Society, soul Korea, November 23-25(2016), invited.

“Evaluation of conduction mini-bands in semiconductor superlattice by visible-light photoelectron spectroscopy”，
T. Ujihara,
October 11, 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN 2016)，Rome Italy, October 9-15(2016), Tu4T, oral.

★”Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth”，
T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa,
October 7, The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016)，Nagoya Japan，October 6-8(2016), invited.

“Effect of Crystal Orientation of Cu Current Collector on Morphology of Li Electrodeposition”，
K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 27, Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016)，Kyoto Japan，September 27-29(2016), PP-13, poster.

“Formation Mechanism of AlN Whiskers by Reacting N2 Gas and Al Vapor”，
M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 27, Nucleation and Growth Research Conference (NGRC 2016)，Kyoto Japan, September 27-29(2016), PP-19, poster.

“Reduction of all types of dislocation in 4H-SiC crystal by two-step solution growth”，
K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 27, The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) ，Halkidiki，September 25-29(2016), Tu2b.03, oral.

“Solvent design for high-purity SiC solution growth”，
S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 27, The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) ，Halkidiki，September 25-29(2016), Tu2b.05, oral.

“Formation of basal plane dislocations introduced by collision of macrosteps on growth surface during SiC solution growth”，
T. Hori, K. Murayama, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 26, The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) ，Halkidiki，September 25-29(2016), TuP.40, poster.

“In-situ observation during solution growth of SiC by X-ray transmission method”，
T. Sakai, M. Kado, H. Daikoku, S. Harada, T. Ujihara,
September 26, The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) ，Halkidiki，September 25-29(2016), LN.15, poster.

“Controlling two-dimensional structuer of DNA-linked Au nanoparticle lattices on supported lipid bilayer”，
T. Isogai, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa,
September 4-8, The 22nd International Conference on DNA Computing and Molecular Programming (DNA22)，Munchen, September 4-8(2016), P36, poster.

★”Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy”,
T. Ujihara, C. Zhu, K. Murayama, S. Harada, M.Tagawa,
August 8, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Mo1-G04-1, invited.

“Phase transition process in DDAB supported lipid bilayer”,
T. Isogai, S. Nakada, N. Yoshida, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa,
August 9, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Tu1-G02-7, oral.

“Crystal orientation dependence of precipitate structure of electrodeposited Li metal on Cu current collectors”,
K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
August 9, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Tu2-G02-2, oral.

“Prediction of solution flow combined with computational fluid dynamics simulation and sparse modeling”,
N. Kokubo, Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
August 9, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, TuP-J01-18, poster.

“Morphology of AlN whiskers grown by reacting N2 gas and Al vapor”,
M. Matsumoto, H. Saitou, Y. Takeuchi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
August 9, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, TuP-T01-19, poster.

“Threading Screw Dislocation Conversion by Macrosteps during SiC Solution Growth for High-quality Crystals”,
S. Harada, K. Murayama, S. Xiao, F. Fujie, T.Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara,
August 11, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Th2-T10-4, oral.

“Two-step growth of SiC solution growth for reduction of dislocations”,
K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M.Tagawa, T. Ujihara,
August 11, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Th2-T10-5, oral.

“Numerical Investigation of Transport Phenomenaduring Crystal Growth of SiC by the Induction Heating TSSG Method”,
N. Adkar, T. Yamamoto, Y. Okano, T. Ujihara, S. Dost ,
August 11, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, ThP-T10-1, poster.

“Effect of Crystal Shape on Solution Flow and Surface Morphology in Solution Growth of SiC”,
D. Koike, T. Umezaki, K. Murayama, K. Aoyagi, S.Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara,
August 11, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, ThP-T10-2, poster.

“The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth”,
S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara,
August 11, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, ThP-T10-10, poster.

★”Enantioselective bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution with plasmonic Ag nanoparticles”,
H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Omatsu, T. Ujihara, Y. Mori,
August 12, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Fr-G09-2, invited.

“Spectroscopy of electrons emitting from conduction mini-band of semiconductor superlattice through negative-electron-affinity surface”,
T. Ujihara,
July 5, 2016, the 39th International conference on Vacuum Ultraviolet and X-ray Physics (VUVX2016), Zurich, July 3-8, P_242, poster.

“Chiral bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution containing plasmonic Ag nanoparticles”,
H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, K. Murayama, S. Harada, K. Miyamoto, T. Omatsu, T. Ujihara,
May 20, 2016, Optical manipulation and its satellite topics (OMC’16), Kanagawa Japan, May 18-20, OMC5-4, oral.

“Direct observation of electrons transported in second conduction mini-band of a semiconductor superlattice by visible-light photoemission spectroscopy”,
F. Ichihashi, K. Nishitani, X. Dong, T. Kawaguchi, M. Kuwahara, T. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
February 15, SPIE Photonics West 2016, The Moscone Center San Francisco, CA, USA, February 13-18(2016), 9743-10, oral.

“Thermal conductivity changes in WO3 films caused by hydrogen intercalation/deintercalation”
A. Nakamura, K. Aoyagi, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
January 27, 40th International Conference & Exposition on Advanced Ceramics & Composites(ICACC16), Hilton Daytona Beach Resort and Ocean Center, Daytona Beach, Florida, USA, January 24-29(2016), ICACC-S6-P023-2016, poster.

●国内学会
“半導体伝導帯構造を明らかにする可視光電子光電子分光法の提案”，
宇治原 徹, 市橋 史朗, 董 キン宇, 井上 明人, 川口 昂彦, 桑原 真人, 伊藤 孝寛, 原田 俊太, 田川 美穂,
2016年真空・表面科学合同講演会 第 36 回表面科学学術講演会 第 57 回真空に関する連合講演会，2016年12月1日，名古屋国際会議場，2016年11月29日～12月1日, [3Ca03], (口頭).

“金属 Li 負極における Cu 集電体の結晶方位と析出形状の関係”，
石川 晃平, 伊藤 靖仁, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹,
第57回電池討論会，2016年12月1日，幕張メッセ国際会議場，2016年11月29日～12月1日, [3B04], (口頭).

“Optically induced crystallization of NaClO3 metastable phase on plasmonic gold nanostructures immersed in unsaturated mother solution”，
H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu,
Institute for Global Prominent Research Kickoff Symposium，2016年11月14日, 千葉大学，2016年11月14日, [R-2-2], (ポスター).

“X線透過法による SiC 溶液成長の溶液流れと溶液形状のその場観察”，
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹,
先進パワー半導体分科会 第3回講演会，2016年11月9日，つくば国際会議場，2016年11月8日～11日, [Ⅱ-2], (口頭)．

“溶液成長法二段階成長による SiC 結晶内の欠陥密度の低減”，
村山 健太, 堀 司紗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹,
先進パワー半導体分科会 第3回講演会，2016年11月8日，つくば国際会議場，2016年11月8日～11日, [P-9], (ポスター)．

“SiC 溶液成長においてルツボ口径が多結晶析出に及ぼす影響”，
岡島 鎮記, 村井 良多, 村山 健太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹,
先進パワー半導体分科会 第3回講演会，2016年11月8日，つくば国際会議場，2016年11月8日～11日, [P-10], (ポスター)．

“透過電子顕微鏡による窒素添加 SiC 積層欠陥の高温その場観察”，
陳 鵬磊, 原田 俊太, 荒井 重勇, 藤榮 文博, 肖 世玉, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹,
先進パワー半導体分科会 第3回講演会，2016年11月8日，つくば国際会議場，2016年11月8日～11日, [P-38], (ポスター)．

“窒素添加した 4H-SiC における積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察”，
藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳 鵬磊, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹,
先進パワー半導体分科会 第3回講演会，2016年11月8日，つくば国際会議場，2016年11月8日～11日, [P-41], (ポスター)．

“Crystallization of NaClO3 metastable phase from unsaturated mother solution achieved by excitation of plasmonic Au nanoarray”，
H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, Y. Mori, S. Harada, K. Murayama, K. Miyamoto, T. Omatsu,
Optics & Photonics Japan 2016，2016年10月30日, 筑波大学，2016年10月30日- 11月8日, [31Popp3], (ポスター).

“半導体光陰極を用いた次世代透過電子顕微鏡の開発”，
桑原 真人, 青木 幸太, 鈴木 潤士, 宇治原 徹, 齋藤 晃, 田中 信夫,
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日, 朱鷺メッセ，2016年9月13日～16日, [15p-B5-1], (口頭).

“AlN 溶液成長における機械学習を用いた溶液流動の高効率予測”，
小久保 信彦, 角岡 洋介, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹,
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日, 朱鷺メッセ，2016年9月13日～16日, [15a-A21-7], (口頭).

“X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長のその場観察”，
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹,
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日, 朱鷺メッセ，2016年9月13日～16日, [15a-C302-1], (口頭).

“X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長の溶液表面形状の経時変化の観察”，
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹,
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ，2016年9月13日～16日, [15a-C302-2], (口頭).

“機械学習を用いた溶液成長における過飽和度分布の予測”，
角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹,
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ，2016年9月13日～16日, [15a-C302-3], (口頭).

“n 型 4H-SiC 中 SSF 起因フォトルミネッセンスの時間分解測定”，
加藤 正史, 片平 真哉, 市川 義人, 市村 正也, 原田 俊太,
2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会，2016年9月15日，朱鷺メッセ，2016年9月13日～16日, [15p-C302-11], (口頭).

“TSSG 法による SiC 結晶成長炉内移動現象に関する数値シミュレーション”，
山本 卓也、岡野 泰則、宇治原 徹,
化学工学第48回秋季大会，2016年9月6日，徳島大学 常三島キャンパス，2016年9月6日～8日, [O121], (口頭).

“塩素酸ナトリウム水溶液中の銀ナノ粒子円偏光光学捕捉により誘起されるキラル結晶化におけるキラリティの偏り”，
新家 寛正, 杉山 輝樹, 田川 美穂, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹,
日本地球惑星科学連合2016年大会，幕張メッセ，2016年5月22日～26日, [MIS12-05], (口頭).

★”溶液法による高品質 SiC 結晶成長とその必要性”，
松本 利希，川口 昂彦，畑野 敬史，原田 俊太，飯田 和昌，宇治原 徹，生田 博志，
第27回シリサイド系半導体研究会，2016年3月22日，小山台会館，2016年3月22日，(招待講演).

“強磁場スパッタ法によるマンガン窒化物薄膜の作製”，
松本 利希，川口 昂彦，畑野 敬史，原田 俊太，飯田 和昌，宇治原 徹，生田 博志，
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月22日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日～22日，[22p-H103-2]，(口頭).

“SiC溶液成長における基底面転位と表面モフォロジーの関係”，
堀 司紗，村山 健太，原田 俊太，肖 世玉，田川 美穂，宇治原 徹，
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日～22日，[20a-H101-4]，(口頭).

“SiC溶液法における溶媒への金属添加による炭素溶解度変化の熱力学計算”，
畑佐 豪記，原田 俊太，田川 美穂，村山 健太，加藤 智久，宇治原 徹，
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日～22日，[20a-H101-2]，(口頭).

“可視光励起光電子分光法を用いたGaPにおけるキャリア散乱の温度依存性評価”，
市橋 史朗，川口 昂彦，董 キン宇，井上 明人，桑原 真人，伊藤 孝寛，原田 俊太，田川 美穂，宇治原 徹，
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日～22日，[20a-S011-8]，(口頭).

“溶液法による4H-SiCバルク結晶成長と結晶品質評価”，
楠 一彦，関 和明，岸田 豊，海藤 宏志，森口 晃治，岡田 信宏，大黒 寛典，加渡 幹尚，土井 雅喜，旦野 克典，関 章憲，佐藤 和明，別所 毅，原田 俊太，宇治原 徹，
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月20日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日～22日，[20a-H101-6]，(口頭).

“DDAB平面脂質二重膜の相転移過程の直接観察”，
磯貝 卓巳，中田 咲子，赤田 英里，吉田 直矢，鷲見 隼人，手老 龍吾，原田 俊太，宇治原 徹，田川 美穂，
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月19日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日～22日，[19p-W323-12]，(口頭).

“超格子構造中のDNA被覆金ナノ粒子の融合に向けた粒子間距離収縮とナノ粒子融合”，
鷲見 隼人，磯貝 卓巳，中田 咲子，吉田 直矢，原田 俊太，宇治原 徹，田川 美穂，
2016年第63回応用物理学会春季学術講演会，2016年3月19日，東工大大岡山キャンパス，2016年3月19日～22日，[19p-W323-1]，(口頭).

“超高品質SiC溶液成長法の最前線”，
原田 俊太，宇治原 徹，
日本結晶成長学会・バルク成長分科会　第98回研究会「機能性単結晶材料の最新動向–パワーデバイスから光・圧電まで–」，2016年3月4日，早稲田大学　西早稲田キャンパス，(口頭).

★”成長過程における転位変換現象を利用した高品質 SiC 溶液成長”，
宇治原 徹，
材料の微細組織と機能性第133委員会　第230回研究会，2016年1月30日，東京理科大学　森戸記念館，(招待講演).