2024
●国際学会 (★: 招待講演)
★”8-Inch Thick SiC Crystals Grown by Solution Growth Method Combined with Digital Twin”
Toru Ujihara, Tomoaki Furusho, Koki Suzuki, Daiki Shimoda, Keiichiro Wakamiya, Takemi Yonaha, Kazuo Kurashige, Hiroyuki Ishibashi, Kenta Murayama and Kazuhito Kamei
October 3rd, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024), Raleigh, U.S.
Paper ID: 223
Session ID: 17A Bulk Growth 2
“Numerical Simulation Study on Different Scales to Suppress Solvent Inclusion Defects in SiC Solution Crystal Growth”
Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada and Tour Ujihara
October 3rd, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024), Raleigh, U.S.
Session ID: 17A Bulk Growth 2
“Molecular Dynamics Simulation of Si-Cr-C Solutions: The Effect of Al Addition on SiC Solution Growth”
Takumi Fukunaga, Ryo Iwasa, Takahiro Kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara
September 3rd, 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2024), Arcrea HIMEJI, Hyogo, Japan
PS-11-08
“Data assimilation for crystal growth simulation incorporating multiple uncertainties using machine learning”
Kentaro Kutsukake, Shion Takeno, Masato Ota, Ichiro Takeuchi and Toru Ujihara
September 24th, The 11th International Workshop on Modeling in Crystal Growth(WMCG11), Timisoara, Romania
“Dynamic deformation modeling for the interfaces of growing, etching, and depositing under the switching flow in TSSG-SiC growth”
Xin Liu and Toru Ujihara
September 24th, The 11th International Workshop on Modeling in Crystal Growth(WMCG11), Timisoara, Romania
“Dynamic deformation modeling for the interfaces of growing, etching, and depositing in TSSG-SiC”
September 22nd, 8th European Conference of Crystal Growth(ECCG8), Institute of High Pressure Physics , Warsaw, Poland
“Influence of the Temperature Gradient on the Defect Formation in the Initial Stage of PVT Growth”
Ju-Hyeong Sun, Shunta Harada, Jungwoo Choi, Myung-Ok Kyun, Soon-Ku Hong, Seong-Min Jeong, Si-Young Bae, and Yun-Ji Shin
September 30th, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024), Raleigh, U.S.
“Identification of Threading Mixed Dislocations Having a Large Edge Component Burgers Vector by Polarized Light Observation”
S. Harada, M. Kawase, Y. Matsubara, K. Seo, Y. Mizutani, S. Mizutani, S. Mizutani, K. Murayama
September 30th, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024), Raleigh, U.S.
“Hydrogen and Point Defect Introduction into 4H-Sic by Plasma Treatment”
T. Li, H. Sakane, S. Harada, Y. Kurokawa, M. Kato
September 30th, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024), Raleigh, U.S.
“Role of Point Defects in Suppressing Stacking Fault Expansion through Helium and Proton Implantation in SiC Epitaxial Layer”
S. Harada, H. Sakane, M. Kato
October 1st, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024), Raleigh, U.S.
Session 9A: Characterization I (Rm 305)
“Proton Implantation into Substrate and Stacking Faults in Epitaxial Layers”
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
October 3rd, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024), Raleigh, U.S.
“Suppression of Stacking-Fault Expansion in 4H-SiC Diodes by Helium Implantation”
T. Li, H. Sakane, S. Harada, M. Kato
October 4th, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024), Raleigh, U.S.
Session 19B: Ion Implantation
●国内学会 (★: 招待講演)
“Si-Cr溶液の分子動力学シミュレーション: Al添加がSiC結晶成長に与える影響の検討”
福永拓実, 岩佐零, 河村貴宏, 関翔太, 原田俊太, 宇治原徹
第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 2024年5月31日, 高知県立県民文化ホール
Fr-P19
★”AI を活用した SiC 溶液成長技術の開発”
宇治原 徹
日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム, 2024年9月10日, 名古屋大学 東山キャンパス
1J19
“SiC溶液成長法における溶媒インクルージョンの3次元形状の解明と形成メカニズムの分析”
伊藤貴洋、周惠琴、沓掛健太郎、原田俊太、宇治原徹
第43回結晶成長討論会, 2024年9月12日, 登別万世閣(北海道登別市)
“SiC溶液成長法の長時間プロセスにおける坩堝の形状変化に対応したシーケンス最適化に向けて”
坂本 隆直, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 宇治原 徹
第43回結晶成長討論会, 2024年9月12日, 登別万世閣(北海道登別市)
“SiC溶液成長法における多結晶生成要因の検討”
杉浦大輝、村山健太、沓掛健太朗、原田俊太、宇治原徹
第43回結晶成長討論会, 2024年9月12日, 登別万世閣(北海道登別市)
“連続工程の全体最適化のための最適化手法の検討”
笠原 亮太郎,沓掛 健太朗,原田 俊太,宇治原 徹
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年9月20日, 朱鷺メッセ他2会場&オンライン(新潟県新潟市)
20p-A21-4
“SiC溶液成長法における潜在空間を利用した長時間プロセスの最適化”
坂本 隆直,沓掛 健太朗,原田 俊太,宇治原 徹
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年9月20日, 朱鷺メッセ他2会場&オンライン(新潟県新潟市)
20p-A21-2
“機械学習を用いた離散不純物によるMOSFET閾値電圧ばらつきの統計的な解析”
関 翔太, 長田 圭一, 髙石 将輝, 笠原 亮太郎,沓掛 健太朗, 宇治原 徹
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年9月20日, 朱鷺メッセ他2会場&オンライン(新潟県新潟市)
20p-C43-9
“Molecular Dynamics Simulations of Si-Cr Solutions: Investigation of the Effect of Al Addition on SiC Solution Growth”
Takumi Fukunaga, Ryo Iwasa, Takahiro Kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara
第43回電子材料シンポジウム, 2024年10月2日, グランドメルキュール奈良橿原
“First-Principles Molecular Dynamics Simulations of SiC Solution Growth Interface”
Iwasa Ryo, Takumi Fukunaga, Takahiro kawamura, Shota Seki, Shunta Harada, and Toru Ujihara
第43回電子材料シンポジウム, 2024年10月2日, グランドメルキュール奈良橿原