学会発表<国内・国外>

2019

国際学会 (★: 招待講演)

“In-situ observation of stacking faults expansion in 4H-SiC at high tempera-tures by synchrotron X-ray topography”,
Fumihiro Fujie, Shunta Harada, Hiromasa Suo, Tomohisa Kato, Toru Ujihara ,
November 14, The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019) ,Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University(OIST), Okinawa, Japan
November 10-15, 2019

★”Application of Machine Learning for High Quality SiC Crystal Growth “,
T. Ujihara
November 8, the 5th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2019) , Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju, Korea
November 5-8, 2019

“Water resistance of AlN whiskers depending on the shape”,
NAKAMURA Akihito, HARADA Shunta, MATSUMOTO Masaki, WATANABE Shota, TAGAWA Miho, UJIHARA Toru ,
October 29, The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies (PACRIM13) , Okinawa Convention Center, Japan, October 27-November 1, 2019

“The control of conduction type in high quality bulk solution growth of SiC”,
Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara ,
September 30, the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) , the Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, September 29 through to October 4, 2019

“Threading Screw Dislocations Conversion and Suppression of Inclusions in 3-inch 4° off-axis C-face 4H-SiC Solution Growth with Pure Si”,
TAKAMA UNNO, CAN ZHU, SHUNTA HARADA, HARUHIKO KOIZUMI, MIHO TAGAWA, TORU UJIHARA ,
October 3, the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) , the Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, September 29 through to October 4, 2019

“Application of high-quality SiC solution growth to large size crystal”,
Can Zhu, Tomoki Endo, Takama Unno, Haruhiko Koizumi, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara ,
October 3, the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) , the Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, September 29 through to October 4, 2019

“Nitrogen Concentration Dependence of Expansion Behavior of Double Shockley Stacking Faults in 4H-SiC Studied by In-situ Synchrotron X-ray Topography”,
Fumihiro Fujie, Shunta Harada, Hiromasa Suo, Tomohisa Kato, Toru Ujihara ,
October 1, the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) , the Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, September 29 through to October 4, 2019

“OPTICAL ANOMALY OF GAN AND SIC CRSYTALS AS OBSERVED BY NEW OPTICAL MAIN AXIS MAPPING”,
K. Tsukamoto, M. Imanishi, H. Koizumi, T. Onuma, T. Ujihara, Y. Mori,
August 2, the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), Keystone Resort and Conference Center, Colorado, July 28 – August 2(2019).

“ESTIMATION OF HIGH-TEMPERATURE PHYSICAL PROPERTIES BY MACHINE LEARNING TOWARD ACCURATE NUMERICAL MODELING OF CRYSTAL GROWTH”,
K. Ando, H. Lin, Y. Tsunooka, T. Narumi, C. Zhu, K. Kutsukake, S. Harada, K. Matsui, I. Takeuchi, Y. Koyama, Y. Kawajiri, M. Tagawa, T. Ujihara,
August 2, the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), Keystone Resort and Conference Center, Colorado, July 28 – August 2(2019).

“THE OPTIMUM DESIGN OF DNA-GUIDED NANOPARTICLE SUPERLATTICES FOR DIRECT DEHYDRATION”,
H. Sumi, T. Isogai, S. Kojima, N. Ohta, H. Sekiguchi, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa,
August 2, the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), Keystone Resort and Conference Center, Colorado, July 28 – August 2(2019).

“IN-SITU SYNCHROTRON X-RAY TOPOGRAPHY STUDIES OF STACKING FAULTS EXPANSION PROCESS IN N-TYPE 4H-SIC CRYSTALS”,
F. Fujie, S. Harada, H. Suo, T. Kato, T. Ujihara,
August 2, the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), Keystone Resort and Conference Center, Colorado, July 28 – August 2(2019).

“DESIGN OF SIC SOLUTION GROWTH CONDITION UTILIZING PREDICTION MODEL CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND MATHEMATICAL OPTIMIZATION”,
S. Harada, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, Y. Tsunooka, T. Endo, K. Ando, K. Kutsukake, M. Tagawa, T. Ujihara,
August 2, the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), Keystone Resort and Conference Center, Colorado, July 28 – August 2(2019).

★”PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS BASED ON NEURAL NETWORK CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND PROCESS OPTIMIZATION OF SIC SOLUTION GROWTH”,
T. Ujihara, Y. Tsunooka, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, K. Kutsukake, S. Harada, M. Tagawa,
August 2, the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), Keystone Resort and Conference Center, Colorado, July 28 – August 2(2019).

★”MANIPULATION OF ACETAMINOPHEN CRYSTALLIZATION AND DISCOVERY OF TWO-STEP DISSOLUTION PROCESS BY PLASMONIC OPTICAL TWEEZERS”,
H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, T. Ujihara, K. Miyamoto, T. Omatsu, J. Nozawa, J. Okada, S. Uda,
August 1, the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), Keystone Resort and Conference Center, Colorado, July 28 – August 2(2019).

“VIRTUAL VISUALIZATION SYSTEM FOR INNER STATE IN HIGH-TEMPERATURE SOLUTION GROWTH USING PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING”,
T. Ujihara, G. Hatasa, K. Murayama, Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa,
August 1, the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), Keystone Resort and Conference Center, Colorado, July 28 – August 2(2019).

“HIGH QUALITY AND INCLUSION SUPPRESSION BY SWITCHING FLOW IN 3-INCH SIC SOLUTION GROWTH”,
C. Zhu, T. Endo, H. Lin, H. Koizumi, S. Harada, M. Tagawa, T.Ujihara,
July 30,  the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), Keystone Resort and Conference Center, Colorado, July 28 – August 2(2019).

“A Novel Birefringent Observation for Analyzing Dislocations in GaN”,
Atsushi Tanaka, Shunta Harada, Kenji Hanada, Yoshio Honda,Toru Ujihara, Hiroshi Amano,
July 10, 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13), Hyatt Regency Bellevue,
Washington, July 7 – July 12 (2019).

“Behavior of Dislocations Propagating from GaN Substrate to Epitaxial Layer”,
Sho Inotsume, Nobuhiko Kokubo, Hisashi Yamada, Shoichi Onda, Jun Kojima, Junji Ohara, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara,
July 8, 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13), Hyatt Regency Bellevue,
Washington, July 7 – July 12 (2019), poster.

★”Machine Learning for SiC top-seeded solution growth- Prediction, Optimization and Visualization”,
Toru Ujihara, Yosuke Tsunooka, Goki Hatasa, Can Zhu, Kentaro Kutsukake, Taka Narumi, Shunta Harada, Miho Tagawa,
May 2, CS-MANTECH in Hyatt Regency Minneapolis, Minneapolis, April 29 – May 2(2019), 17.3 (Invited Presentation).

“Thermal Conduction in Titanium Oxide with an Ordered Arrangement of Planar Faults in Nanoscale”,
Shunta Harada,
April 25, MRS Spring Meeting & Exhibit,Phoenix Convention Center, Phoenix, April 25(2019), QN04.12.03.

“Lithium Intercalation-Induced Thermal Conductivity Change of AmorphousWO3 Films”,
Shunta Harada,
April 23, MRS Spring Meeting & Exhibit,Phoenix Convention Center, Phoenix, April 23(2019), QN04.04.38.

国内学会 (★: 招待講演)

★Determination of edge-component Burgers vector of threading dislocations in GaN crystal by using Raman mapping ,
小久保 信彦, 角岡 洋介, 藤榮 文博, 大原 淳士, 恩田 正一, 山田 永, 清水 三聡, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹 ,
第80回応用物理学会秋季学術講演会 , 2019年 , 口頭(招待・特別)

“AlGaN/GaN HEMTのIV特性に対する機械学習”,
蜂谷 涼太, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美 穂, 宇治原 徹 ,
第80回応用物理学会秋季学術講演会 , 2019年 , 口頭(一般)

“SiC溶液成長における温度・流速の局所分布からの全体分布予測”,
高石 将輝, 小山 幸典, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹 ,
第80回応用物理学会秋季学術講演会 , 2019年 , 口頭(一般)

“SiC結晶成長シミュレーションのノンパラメトリック機械学習”,
小山 幸典, 角岡 洋介, 沓掛 健太朗, 宇治原 徹 ,
第80回応用物理学会秋季学術講演会 , 2019年 , 口頭(一般)

“X線小角散乱法と回転結晶法を用いたコロイド単結晶中 の格子乱れの解析”,
鷲見 隼人, 太田 昇, 関口 博史, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂 ,
第80回応用物理学会秋季学術講演会 , 2019年 , 口頭(一般)

“機械学習を用いたµビームX線回折マッピングの特徴領域の効率的推定”,
穂積 祥太, 沓掛 健太朗, 松井 孝太, 佐々木 拓生, 宇治原 徹, 竹内 一郎 ,
第80回応用物理学会秋季学術講演会 , 2019年 , 口頭(一般)

“水素挿入に伴う結晶性WO3薄膜の熱伝導率の変化”,
沈 統, 小林 竜大, 石川 晃平, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂 ,
第80回応用物理学会秋季学術講演会 , 2019年 , 口頭(一般)

★”結晶成長プロセス最適化における機械学習の活用”,
宇治原徹,
日本物理学会2019秋季大会 , 2019年 , 口頭(招待・特別)

★”SiC溶液成⻑法の最適条件予測におけるデータ科学の活⽤”,
宇治原 徹,
素材プロセシング第69委員会 第2分科会(新素材関連技術) 第73回研究会,2019年7月16日,東北大学,2019年7月16日, (招待講演).

★”機械学習モデルと実験結果の比較による物性値推定手法のSiC溶液成長における融液物性への適用”,
宇治原 徹,
応用物理学会 シリコンナノテクノロジー分科会,2019年7月12日,応物会館,2019年7月12日, (招待講演).

★”DNAガイドのナノ粒子結晶化:結晶化条件の最適化と構造解析”,
田川 美穂、小島 憧子、鷲見 隼人、西部 愛里紗、磯貝 卓巳、横森 真麻、原田 俊太、宇治原 徹、塚本 勝男,
日本地球惑星科学連合(JpGU2019),2019年5月28日,幕張メッセ国際会議場,国際展示場,2019年5月26日~30日, (招待講演).

“プラズモン光ピンセットによる有機分子の結晶化操作と二段階溶解過程の発見”,
新家 寛正、杉山 輝樹、田川 美穂、宇治原 徹、宮本 克彦、尾松 考茂、野澤 純、岡田 純平、宇田 聡,
日本地球惑星科学連合(JpGU2019),2019年5月28日,幕張メッセ国際会議場,国際展示場,2019年5月26日~30日, (口頭).

“機械学習モデルと実験結果の比較による物性値推定手法のSiC溶液成長における融液物性への適用”,
安藤 圭理, 林 宏益, 角岡 洋介, 鳴海 大翔, 朱 燦, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 松井 孝太, 竹内 一郎, 小山 幸典, 宇治原 徹,
日本金属学会 2019年春期講演大会,2019年3月22日,東京電機大学 東京千住キャンパス,2019年3月20日~22日, (口頭).

“機械学習を用いた SiC 溶液成長法の熱流動の高速予測と育成条件の最適化に関する基礎検討”,
鳴海 大翔, 林 宏益, 角岡 洋介, 安藤 圭理, 朱 燦, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 宇治原 徹,
日本金属学会 2019年春期講演大会,2019年3月22日,東京電機大学 東京千住キャンパス,2019年3月20日~22日, (口頭).

“SiC 溶液成長過程における転位変換現象を利用した高品質結晶成長”,
原田 俊太, 朱 燦, 遠藤 友樹, 小泉 晴比古, 鳴海 大翔, 田川 美穂, 宇治原 徹,
日本金属学会 2019年春期講演大会,2019年3月22日,東京電機大学 東京千住キャンパス,2019年3月20日~22日, (口頭).

“ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング”,
吉川 健, 福山 博之, 宇治原 徹, 美濃輪 武久,
日本金属学会 2019年春期講演大会,2019年3月22日,東京電機大学 東京千住キャンパス,2019年3月20日~22日, (口頭).

“炭化珪素結晶成長シミュレーションに対する機械学習”,
小山幸典, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 宇治原徹,
日本金属学会 2019年春期講演大会,2019年3月21日,東京電機大学 東京千住キャンパス,2019年3月20日~22日, (口頭).

“機械学習を用いた昇華法SiC結晶成長シミュレーションの高速予測”,
江 逸群, 角岡洋介, 畑佐豪記, 鳴海大翔, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会,2019年3月11日,東京工業大学 大岡山キャンパス,2019年3月9日~12日, [11p-70A-5], (口頭).

“大口径化にむけた機械学習によるSiC溶液成長の最適成長条件の決定”,
宇治原徹, 角岡洋介, 遠藤友樹, 朱燦, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 三谷武志, 加藤智久, 田川美穂, 原田俊太,
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会,2019年3月11日,東京工業大学 大岡山キャンパス,2019年3月9日~12日, [11p-70A-4], (口頭).

“3インチ4度オフ種結晶上へのSiC溶液成長における貫通転位変換とインクルージョン抑制の両立”,
海野高天, 朱 燦, 原田俊太, 小泉晴比古, 田川美穂, 宇治原徹,
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会,2019年3月11日,東京工業大学 大岡山キャンパス,2019年3月9日~12日, [11p-70A-2], (口頭).

★”高熱伝導樹脂を実現するAlNウィスカーフィラーの開発とベンチャー”,
宇治原徹,
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会,2019年3月10日,東京工業大学 大岡山キャンパス,2019年3月9日~12日, [10p-W351-4], (招待講演).

“機械学習によって構築した温度分布予測モデルによる熱伝導率推定”,
樋口雄介, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会,2019年3月9日,東京工業大学 大岡山キャンパス,2019年3月9日~12日, [9p-W321-8], (口頭).

“SiC結晶成長シミュレーションの機械学習”,
小山幸典, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 宇治原徹,
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会,2019年3月9日,東京工業大学 大岡山キャンパス,2019年3月9日~12日, [9p-W321-7], (口頭).

“機械学習による結晶成長シミュレーション回帰モデルの構築とその応用”,
宇治原徹, 角岡洋介, 朱 燦, 沓掛健太朗, 鳴海大翔, 田川美穂, 原田俊太,
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会,2019年3月9日,東京工業大学 大岡山キャンパス,2019年3月9日~12日, [9p-W321-6], (口頭).

“Doc2Vecを用いた学会発表概要集の検索手法の検討”,
石川晃平, 沓掛健太朗 , 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会,2019年3月9日,東京工業大学 大岡山キャンパス,2019年3月9日~12日, [9p-W321-5], (口頭).

“Li挿入によるWO3薄膜の構造及び熱伝導率の変化”,
小林竜大, 沈 統, 中村彩乃, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会,2019年3月9日,東京工業大学 大岡山キャンパス,2019年3月9日~12日, [9p-W371-16], (口頭).

“逆解析によるRF-TSSG 法によるSiC 結晶成長時のるつぼ温度最適化”,
岡野泰則, 堀内鷹之, 関本敦, 宇治原徹,
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会,2019年3月9日,東京工業大学 大岡山キャンパス,2019年3月9日~12日, [9p-S422-10], (口頭).

★”顕微ラマン分光法によるGaN中の転位欠陥解析と機械学習の活用”,
宇治原徹, 小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 井爪将, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂,
2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会,2019年3月9日,東京工業大学 大岡山キャンパス,2019年3月9日~12日, [9p-W541-2], (招待講演).