●国際学会
“Two-dimensional assembly of DNA-functionalized gold nanoparticles on lipid bilayer”，
T. Isogai, H. Sumi, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara, M. Tagawa,
December 21, The first International Workshop by the 174th Committee JSPS “Symbiosis of Biology and Nanodevices”，Kyoto Terrsa , Kyoto，December 21(2017), P16, poster.

“Smooth Li Electrodeposition on Single Crystal Cu Current Collectors”，
K. Ishikawa, Y. Ito, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
October 3, The Electrochemical Society (232nd ECS Meeting)，Gaylord National Resort & Convention Center, Washington，October 1-5(2017), poster.

“Two-Step Sic Solution Growth with Extremely Low-Dislocation-Density 4h-SiC Crystal for Suppression of Polytype Transformation”，
K. Murayama, S. Harada, F. Fujie, X. Liu, R. Murai, C. Zhu, K. Hanada, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 21, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), TH.AP.12, poster.

“High-Speed Prediction Model for Supersaturation and Flow Distribution by CFD Simulation and Machine Learning in SiC Solution Growth”，
Y. Tsunooka, N. Kokubo, G. Hatasa, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 21, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), TH.AP.5, poster.

“Real-Time Visualization System for Temperature and Fluid Flow Distributions in SiC Solution Growth Using Prediction Model Constructed by Machine Learning”，
G. Hatasa, Y. Tsunooka, S. Lee, K. Murayama, R. Murai, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 20, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), WE.AP.7, poster.

“Direct Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography”，
F. Fujie, S. Harada, K. Murayama, K. Hanada, P. Chen, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 19, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), TU.BP.4, poster.

“Evaluation of 2-Inch Wafer by Solution Growth Method Using Synchrotron X-Ray Topography”，
K. Seki, K. Kusunoki, Y. Kishida, H. Kaido, K. Moriguchi, M. Kado, H. Daikoku, T. Shirai, M. Akita, A. Seki, H. Saito, S. Harada, T. Ujihara,
September 19, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), TU.AP.5, poster.

“High-Quality SiC Solution Growth Using Dislocation Conversion on C Face”，
S. Xiao, S. Harada, X. Liu, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa, T. Ujihara,
September 18, The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)，the Marriott Wardman Park, Washington, D.C.，September 17-22(2017), MO.A1.3, oral.

“Trial of Informatics in Crystal Growth -SiC Solution Growth-“，
T. Ujihara,
September 19, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (ssdm 2017)，Sendai International Center，September 19(2017), 講演.

“Controlling thermal conductivity in tungsten trioxide by ion-intercalation”，
T. Ujihara,
July 4, The 9th US-Japan Joint Seminar on Nanoscale Transport Phenomena，Tokyo Japan，July 2-5(2017), VI-2, session.

“Hydrogen-Induced Thermal Conductivity Change across Metal-Insulator Transition in Amorphous WO3 Film”，
A. Nakamura, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
April 18, 2017 MRS Spring Meeting，Phoenix Convention Center and Sheraton Grand Phoenix，April 17-21(2017), NM2, poster.

“Numerical simulation of the transport phenomena occurring during the growth of SiC crystals by the RF-heating TSSG method”，
T. Yamamoto, J. Sakamoto, Y. Okano, T. Ujihara, S. Dost,
March 28, Asian Conference on Thermal Sciences 2017 (ACTS2017)，Jeju Korea，March 26-29(2017), P00078, poster.

●国内学会
“機械学習を活用したSiC溶液成長プロセス・ビュジュアライゼーション”，
宇治原徹, 畑佐豪記, 角岡洋介, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂,
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月29日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日～29日, [29p-B04], (一般講演).

“結晶光学軸方位分布からみたGaNやSiCの光学異常”，
塚本勝男, 今西正幸, 村山健太, 森勇介,
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月29日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日～29日, [29p-B03], (一般講演).

“キラルな光場中でのキラル結晶化におけるキラリティの偏り”，
新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 宇治原徹, 丸山美帆子, 森勇介, 宮本克彦, 尾松孝茂,
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月29日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日～29日, [29a-A02]．

“数値解析を用いた誘導加熱TSSG法によるSiC結晶成長製造装置の最適化条件の探索”，
堀内鷹之, Wang Lei, 山本卓也, 宇治原徹, 岡野泰則,
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月28日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日～29日, [28p-P32], (ポスター)．

“機械学習による結晶成長条件の予測を用いたSiC溶液成長”，
林宏益, 村井良多, 朱燦, 村山健太, 角岡洋介, 畑佐豪記, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月28日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日～29日, [28p-P14], (ポスター)．

“気相法AlNウィスカー成長における形状変化メカニズムの解明”，
齊藤廣志, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月28日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日～29日, [28p-P16], (ポスター)．

“SiC溶液成長におけるプロセス・インフォマティクス”，
宇治原徹，角岡洋介，畑佐豪記，村山健太，村井良多，朱燦，原田俊太，田川美穂,
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月28日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日～29日, [28a-C06], (口頭講演)．

“4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制”，
村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹,
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月28日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日～29日, [28a-A05], (一般講演)．

“SiC溶液成長過程における転位伝播方向制御による高品質化”，
原田俊太, 村山健太, 村井良多, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹,
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月27日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日～29日, [27p-C04], (招待講演)．

“機械学習による熱流体解析の高速化における予測精度”，
畑佐豪記, 角岡洋介, 村井良多, 村山健太, 朱燦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）, 2017年11月27日, ホテルコンコルド浜松, 2017年11月27日～29日, [27p-A02], (一般講演)．

“貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法”，
村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹,
先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月2日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日～2日, [IIB-2], (ポスター)．

“溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長”，
村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹,
先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月2日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日～2日, [IIA-3], (ポスター)．

“SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価”，
鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹,
先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月2日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日～2日, [IIA-2], (ポスター)．

“ラマン分光法による GaN 単結晶における貫通転位の刃状成分の解析”，
小久保信彦, 角岡洋介, 藤榮文博, 大原淳士, 原一都, 恩田正一, 山田永, 清水三聡, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹,
先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月1日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日～2日, [IB-17], (ポスター)．

” X 線トポグラフィーその場観察による 4H-SiC 積層欠陥挙動の窒素濃度依存性評価”，
藤榮文博, 原田俊太, 周防裕政, 加藤智久, 田川美穂, 宇治原徹,
先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月1日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日～2日, [IB-14], (ポスター)．

” 溶液法 SiC 基板を用いて作製した MOS キャパシタの評価”，
古庄智明, 川畑直之, 古橋壮之, 渡辺友勝, 渡邊寛, 山川聡, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹,
先進パワー半導体分科会 第4回講演会，2017年11月1日，名古屋国際会議場 ，2017年11月1日～2日, [IA-25], (ポスター)．

“SiCにおける積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察”，
藤榮 文博, 原田 俊太, 花田 賢志, 村山 健太, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹,
日本金属学会 2017年秋期講演会，2017年9月6日，北海道大学，2017年9月6日～8日, (口頭)．

“単結晶Cu集電体を用いた金属Li負極の不均一析出抑制”，
石川 晃平, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹,
日本金属学会 2017年秋期講演会，2017年9月6日，北海道大学，2017年9月6日～8日, (ポスター)．

“DNA被覆ナノ粒子によるDDAB脂質二重膜の指組みゲル相形成の促進”，
磯貝 卓巳, 鷲見 隼人, 手老 龍吾, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂,
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月7日，福岡国際会議場，2017年9月5日～8日, [7p-A503-6], (口頭)．

“Investigation of high-temperature annealing process ofsputtered AlN films”，
S. Xiao, Y. Liu, R. Suzuki, H. Miyake, K. Hiramatsu, S. Harada,T. Ujihara,
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月7日，福岡国際会議場，2017年9月5日～8日, [7p-A301-6], (口頭)．

“機械学習を用いたSiC結晶成長実験条件の最適化”，
村井 良多, 畑佐 豪記, 角岡 洋介, 林 宏益, 村山 健太, 朱 燦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹,
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月6日，福岡国際会議場，2017年9月5日～8日, [6p-A201-13], (口頭)．

“SiC溶液法C面成長における貫通らせん転位の低減”，
劉 欣博, 原田 俊太, 村山 健太, 村井 良多, 肖 世玉, 田川 美穂, 宇治原 徹,
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月6日，福岡国際会議場，2017年9月5日～8日, [6p-A201-11], (口頭)．

“4H-SiC 溶液成長における積層欠陥との相互作用により生じる貫通らせん転位の変換挙動”，
加渡 幹尚, 原田 俊太, 関 和明, 大黒 寛典, 楠 一彦, 宇治原 徹,
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月6日，福岡国際会議場，2017年9月5日～8日, [6p-A201-10], (口頭)．

“X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長”，
酒井 武信, 秋田 光俊, 加度 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹,
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月6日，福岡国際会議場，2017年9月5日～8日, [6p-A201-8], (口頭)．

“Li挿入によるWO3薄膜の熱伝導率の変化”，
小林 竜大, 中村 彩乃, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹,
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月6日，福岡国際会議場，2017年9月5日～8日, [6a-C22-11], (口頭)．

“溶液成長SiC基板上に作製した酸化膜の評価”，
古庄 智明, 川畑 直之, 古橋 壮之, 渡辺 友勝, 渡邊 寛, 山川 聡, 村山 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹,
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会，2017年9月5日，福岡国際会議場，2017年9月5日～8日, [5p-PB8-6], (ポスター)．

“SiC溶液成長における機械学習を用いた閉鎖空間の溶液温度・流速分布の予測”，
畑佐 豪記, 角岡 洋介, 村山 健太, 村井 良太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹,
第40回結晶成長討論会，2017年8月30日，浜名湖ロイヤルホテル，2017年8月30日～9月1日, (ポスター)．

“DNA修飾ナノ粒子超格子を前駆体としたウルフ多面体型コロイド結晶の形成”，
鷲見 隼人, 磯貝 卓巳, 吉田 直矢, 原田 俊太, 宇治原 徹, 田川 美穂,
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月17日，パシフィコ横浜，2017年3月14日～17日, [17a-F206-3], (口頭)．

★”SiC溶液成長における最適条件高速探索手法の提案”，
角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂,宇治原 徹,
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月16日，パシフィコ横浜，2017年3月14日～17日, [15p-MH-4], (招待講演)．

“水素挿入・脱離によるWO3薄膜の熱伝導率制御”，
中村 彩乃, 小林 竜太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹,
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月15日，パシフィコ横浜，2017年3月14日～17日, [15p-F206-12], (口頭)．

“酸化タングステンの酸化還元による可逆的熱伝導率制御”，
原田 俊太, 弓削 勇輔, 田川 美穂, 宇治原徹,
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月15日，パシフィコ横浜，2017年3月14日～17日, [15p-F206-11], (口頭)．

“4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性”，
片平 真哉, 市川 義人, 原田 俊太, 木本 恒暢, 加藤 正史,
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月15日，パシフィコ横浜，2017年3月14日～17日, [15a-F204-12], (口頭)．

“X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長”，
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹,
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月15日，パシフィコ横浜，2017年3月14日～17日, [15a-F204-4], (口頭)．

“後方反射X線トポグラフィによる4H-SiC積層欠陥拡張挙動のその場観察”，
藤榮 文博, 原田 俊太, 村山 健太, 花田 賢志, 陳鵬磊, 加藤 智久, 田川 美穂, 宇治原 徹,
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月15日，パシフィコ横浜，2017年3月14日～17日, [15a-F204-3], (口頭)．

“誘導加熱TSSG法によるSiC成長時の融液内対流現象に関する数値解析”，
山本 卓也, 岡野 泰則, 宇治原 徹,
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会，2017年3月14日，パシフィコ横浜，2017年3月14日～17日, [14-B5-5], (口頭)．

“TSSG法によるSiC結晶成長の数値シミュレーション”，
阪本 純基, 山本 卓也, 岡野 泰則, 宇治原 徹,
第１９回化学工学会学生発表会，2017年3月4日，大阪大学 豊中キャンパス，2017年3月4日, [IQ3], (口頭)．