●国際学会>
“Electrical Properties around Grain Boundary of Poly-Crystalline Silicon for Solar Cell Evaluated Using the Conductive AFM”,
T. Ujihara, K. Nakajima, Y. Takeda,
15th PVSEC, Shanghai, China, October 11-15 (2005).

“Solution growth of SiC crystal with high growth rate using accelerated crucible rotation technique”,
K. Kusunoki, K. Kamei, N. Okada, N. Yashiro, A. Yauchi, T. Ujihara, and K. Nakajima,
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM2005), Pittsburgh, PA USA, September 18-23 (2005).

“Growth of SiC single crystal from Si-C-(Co, Fe) ternary solution”,
N. Yashiro, K. Kusunoki, K. Kamei, M. Hasebe, T. Ujihara and K. Nakajima,
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM2005), Pittsburgh, PA USA, September 18-23 (2005).

”Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE”,
T. Ujihara, Y. Yoshida, W. S. Lee, R. Oga, Y. Takeda,
The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM05), Glasgow, Scotland, UK, May 8-12 (2005).

●国内学会
“液滴へテロエピタキシーにより作製したInP量子ドット積層構造のスペーサ膜厚に発光特性”,
李 祐植, 陳 博, 三宅信輔, 宇治原徹, 竹田美和,
2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, 2005年9月7-11日, 9p-W-8.

“液滴ヘテロエピタキシーにより作製したInP量子ドット積層構造のスペーサ膜厚による発光特性の変化”,
李 祐植, 陳 博, 三宅信輔, 宇治原徹, 竹田美和,
2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, 2005年9月7-11日, 10a-ZA-11.

“選択成長により形成したInPメサ構造へのInAsドットの形成とサイズ均一性の向上”,
宇治原徹, 吉田義浩, 李 祐植, 竹田美和,
2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, 2005年9月7-11日, 10p-W-11.

“As/P置換を施したGaAs上へのErPの成長と表面平坦性”,
大西宏幸, 小泉 淳, 山川市朗, 宇治原徹, 中村新男, 竹田美和,
2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, 2005年9月7-11日, 10a-ZA-11.

“高効率スピン偏極度電子源のための高品質半導体超格子構造の設計と成長”,
陳 博, 渡辺 修, 李 祐植, 宇治原徹, 竹田美和, 山本将博, 中西 彊,
2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会, 徳島大学, 2005年9月7-11日, 10p-ZA-11.

“自己検知AFMプローブを用いた多結晶シリコン太陽電池の局所光起電力測定”,
五十嵐考俊, 宇治原徹, 中嶋一雄, 高橋琢二,
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, 2005年3月29日-4月1日, 29p-YH-15.

“OMVPE成長したEr添加GaInPの光学特性に与える成長温度の影響”,
武森祐貴, 小泉 淳, 大西宏幸, 山口岳宏, 宇治原徹, 竹田美和,
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, 2005年3月29日-4月1日, 31p-T-9.

“OMVPE法によるInP選択成長における分子供給メカニズム”,
吉田義浩, 李 祐植, 宇治原徹, 竹田美和,
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, 2005年3月29日-4月1日, 31a-ZM-2.

“ACRTを用いた溶液成長法によるSiC結晶成長”,
楠 一彦, 亀井一人, 岡田信宏, 矢代将斉, 八内昭博, 宇治原徹, 中嶋一雄,
2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学, 2005年3月29日-4月1日, 30p-YK-5.