●国際学会
“Low growth temperature and proper solvent improving silicon crystals grown by LPE method for photovoltaic materials”,
T. Ujihara, Y. Satoh, K. Obara, W. Pan, K. Fujiwara, N. Usami, T. Shishido and K. Nakajima,
14th International Conference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004).

“Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained-Si layer”,
N. Usami, K. Kutsukake, W. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, B. Zhang, T. Yokoyama, K. Nakajima,
14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004).

“Control of the grain orientations of organic semiconductor PTCDA thin film crystals epitaxially grown on H-Si(111) substrate using vicinal steps”,
G. Sazaki, T. Fujino, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, K. Nakajima,
14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004).

“Growth and properties of SiGe multicrystal with microscopic compositional distribution and their applications for high efficiency solar cells”,
K. Nakajima, K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, T. Ujihara, and T. Shishido,
14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004).

“Direct observation of melt growth behavior of polycrystalline silicon for solar cells”,
K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, W. Pan, G. Sazaki and K. Nakajima,
14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004).

“Restraining polycrystallization of multicomponent semiconductors using seed crystals with preferential orientation determined by the growth with seed crystals of random orientations”,
Y. Azuma, Y. Nishijima, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, K. Nakajima,
14th International Coference on Crystal Growth (ICCG14), Grenoble, France, August 9-13 (2004).

“Local Photovoltage Mapping on Polycrystalline Silicon Solar Cells through Electrostatic Force Detected by AFM with Piezoresistive Cantilever”,
T. Igarashi, T. Ujihara and T. Takahashi,
12th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM12), Izu, Japan, December 9-11 (2004).

“Low growth temperature avoiding the degradation of solar cell property on silicon crystals by LPE method”,
T. Ujihara, Y. Satoh, K. Obara, W. Pan, K. Fujiwara, N. Usami, T. Shishido,
19th European Photovoltaic Solar Energy Conference (EUPVSEC19), Paris France, June 7-11 (2004).

“Systematic Variation of Si Spacer Width in Solar Cells with Stacked Ge Islands and its Effect on Photovoltaic Performance”,
N. Usami, A. Alguno, W. Pan, K. Sawano, K. Fujiwara, T. Ujihara, Y. Shiraki, K. Nakajima,
19th European Photovoltaic Solar Energy Conference (EUPVSEC19), Paris France, June 7-11 (2004).

●国内学会
“液滴ヘテロエピタキシー法によるGaInP上InP量子ドットの形成と光学的特性の評価”,
李 祐植, 大賀 涼, 内田夏苗, 吉田義浩, 宇治原徹, 竹田美和,
2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日, 2p-ZK-13.

“SiGe多結晶太陽電池の効率増加の要因に関して”,
宇佐美徳隆, 藤原航三, 藩 伍根, 宇治原徹, 下川隆一, 中嶋一雄,
2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日, 1a-ZL-7.

“Si-Ti-C3元系溶液を用いた6H-SiC結晶の溶液成長”,
矢代将斉, 楠 一彦, 亀井一人, 長谷部光弘, 宇治原徹, 中嶋一雄,
2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大泉キャンパス, 2004年9月1-4日, 4a-K-1.

“PTCDA薄膜の形態に及ぼす基板－有機薄膜間相互作用力の効果”,
西方 督, 佐崎 元, 郡司 敦, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 藤原航三, 中嶋一雄, 3月28日,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-ZF-13.

“HOPG基板上の銅フタロシアニンエピタキシャル薄膜結晶に及ぼすアニーリング効果”,
郡司 敦, 西方 督, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 佐崎 元, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-ZF-14.

“太陽電池用多結晶Siの方位制御”,
藤原航三, 澤田幸平, 宇治原徹, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-P4-3.

“コンダクティブAFMを用いた太陽電池用多結晶シリコン粒界近傍の電気特性評価”,
宇治原徹, 寺山剛司, 渡 元, 藩 伍根, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-P4-4.

“太陽電池用ミクロ分散的組成分布を有する多結晶SiGeの成長”,
藤原航三, 藩 伍根, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-P4-12.

“ミクロ分散的組成分布を有する高効率多結晶SiGe太陽電池の実現”,
藩 伍根, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-P4-13.

“LPE法により作製したSi結晶の太陽電池特性と低温成長の有効性”,
佐藤祐輔, 宇治原徹, 藩 伍根, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-P4-15.

“優先方位種結晶を利用することによるSiGeバルク結晶の多結晶化の抑制”,
我妻幸長, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-ZC-3.

“GaAs(110)種結晶を利用したInGaAsバルク単結晶の成長”,
我妻幸長, 西嶋由人, 宇佐美徳隆, 藤原航三, 宇治原徹, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28p-ZC-4.

“空間分解ラマン分光によるSGOI上Siの歪み分布の解析”,
沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 宇治原徹, 佐崎 元, 藤原航三, 横山敬志, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 30a-YL-8.

“太陽電池効率改善におけるGe島状結晶の効果”,
アルグノアーノルド, 宇佐美徳隆, 藩 伍根, 宇治原徹, 藤原航三, 佐崎 元, 澤野憲太郎, 白木靖寛, 横山敬志, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 30p-YL-7.

“SiGe多結晶の局所構造と太陽電池特性との相関”,
宇佐美徳隆, 藤原航三, 藩 伍根, ウルブリヒトロナウド, 宇治原徹, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 30p-YL-8.

“金属溶媒を用いた6H-SiC自立結晶の溶液成長”,
楠 一彦, 宗藤伸治, 亀井一人, 長谷部光弘, 宇治原徹, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28a-YL-5.

“液相エピタキシャル法によりマイクロパイプ上に成長した6H-SiCホモエピ層の結晶性評価”,
宇治原徹, 宗藤伸治, 楠 一彦, 亀井一人, 藤原航三, 佐崎 元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 28a-YL-6.

“有機半導体薄膜結晶の粒成長制御について”,
佐崎 元, 郡司 敦, 西方 督, 宇佐美徳隆, 藩 伍根, 宇治原徹, 藤原航三, 中嶋一雄,
2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会, 東京工科大学, 2004年3月28-31日, 30p-A-5.