●国際学会
“Microstructure Observation of CaFe2As2 Family Thin Films by Transmission Electron Microscopy”,
T. Kawaguchi, S. Harada, R. Fujimoto, Y. Mori, I. Nakamura, T. Hatano, T. Ujihara, H. Ikuta,
November 27, 27th International Symposium on Superconductivity (ISS2014) , Tower Hall Funabori, Tokyo, November 25-27, (2014), FDP-9.poster

“Two-dimensional assembly of Au nanoparticles through DNA hybridization on supported lipid bilayer”,
T. Isogai, E. Akada, S. Nakada, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara and M. Tagawa,
20th International Conference on DNA Computing and Molecular Programming(DNA20), Kyoto university, Kyoto, Japan, September 22-26(2014), (Track(C)), poster.

“Heavily Al doped 4H-SiC growth by the top-seeded solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent”,
S. Harada, S.Y. Xiao, M. Tagawa, Y. Yamamoto, S. Arai, N. Tanaka and T. Ujihara,
September 22, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 22(2014), MO-P-04, poster.

“Change in surface morphology by the addition of impurity elements in 4H-SiC solution growth with Si solvent”,
N. Komatsu, T. Mitani, T. Takahashi, T. Kato, K. Kurashige, Y. Matsumoto, T. Ujihara, H. Okumura,
September 22, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), MO-P-06, poster.

★　”Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal”,
S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, N. HARA, D. Koike, T. Mutoh, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara,
September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU1-IS-01, oral invited.

“4H-SiC growth from Si-Cr-C solution under Al and N co-doping conditions”,
T. Mitani, N. Komatsu, T. Takahashi, T. Kato, T. Ujihara, Y. Matsumoto, K. Kurashige, H. Okumura,
September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU1-OR-04, oral.

“Threading screw dislocations conversion behavior on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth”,
S. Xiao, N. Hara, S. Harada, T. Sakai, T. Ujihara,
September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU-P-05, poster.

“Effect of forced convection by crucible design in solution growth of SiC single crystal”,
K. Kurashige, M. Aoshima, K. Takei, K. Fujii, M. Hiratani, N. Senguttuvan, T. Kato, T. Ujihara, Y. Matsumoto, H. Okumura,
September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU-P-06, poster.

“Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth for SiC Crystal”,
D. Koike, T. Umezaki, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara,
September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU-P-09, poster.

“3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method”,
K. Shibata, S. Harada, T. Ujihara,
September 23, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), TU-P-11, poster.

“Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds”,
T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara,
September 24, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), WE-P-01, poster.

“Influences of solution flow and lateral temperature distribution on surface morphology in solution growth of SiC”,
K. Fujii, K. Takei, M. Aoshima, N. Senguttuvan, M. Hiratani, T. Ujihara, Y. Matsumoto, T. Kato, K. Kurashige, H. Okumura,
September 24, 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014), the congress center of World Trade Center, Grenoble, France, September 21-25(2014), WE-P-06, poster.

“Structure of basal plane defects formed by the conversion of threading screw dislocation during solution growth of SiC”,
S. Harada, S.Y. Xiao, M. Tagawa, Y. Yamamoto, S. Arai, N. Tanaka and T.Ujihara,
September 9,2014, Solid State Devices and Materials 2014, Fukuoka, Japan, September 8-11(2014), N-1-3. poster.

“Characterization of Newly Generated Defects during Solution Growth of 4H-SiC”,
S. XIAO,
August 29, International Union of Materials Research Societies- International Conference in Asia 2014, Fukuoka, Japan, August 24-30(2014), A11-O29-015. oral.

“Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC”,
S. HARADA,
August 28, International Union of Materials Research Societies- International Conference in Asia 2014, Fukuoka, Japan, August 24-30(2014), A11-P28-009.poster.

“Defect evolution in high-qualit 4H-SiC grown by solution method”,
S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara,
August 9, International Union of Crystallography 2014, Quebec, Canada, August 5-12(2014), MS94.O05. oral.

★　”DNA-mediated Nanoparticle Crystallization”,
M. Tagawa, O.g Gang, T. Isogai, S. Nakada, E.i Akada, S. Harada, T. Ujihara,
The International Symposium on Material Architectonics for Sustainable Action(MASA), Tsukuba, Japan, July 18th(2014).oral

“Direct Measurement of Conduction Miniband Structure in Superlattice by Visible-Light Photoemission Spectroscopy”
F.Ichihashi, D.Shimura, K.Nishitani, M.Kuwahara, T.Ito, S.Harada, H.Katsuno, M.Tagawa, T.Ujihara,
Photovoltaic Specialists Conference(The PVSC-40), Colorado, USA, June 8th-13th(2014), poster

★　”Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method”,
T.Ujihara,
International Conference on Science and Engineering of Materials, India, January 6-8th(2014).oral

●国内学会
“結晶配向した多結晶タングステン上における金属リチウム負極の析出形状”,
石川晃平,
2014年11月20日，名古屋工業大学, 愛知県，2013年11月20日，日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部　第24回学生による材料フォーラム，【20】（ポスター）

“脂質二重膜状におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象”，
中田咲子,
2014年11月20日，名古屋工業大学, 愛知県，2014年11月20日，日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部　第24回学生による材料フォーラム，【21】（ポスター）

“Si-Al-Cu溶媒を用いた高Alドープ4H-SiC結晶の溶液成長 Heavily Al doped 4H-SiC growth by solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent”，
楠一彦，関和明，亀井一人，原田俊太，宇治原徹，
11月19日，先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」，ウインクあいち，愛知県，（公社）応用物理学会 先進パワー半導体分科会，2014年11月19日-20日，P-4（ポスター）

“非対称温度分布下でのSiC溶液成長法におけるマランゴニ対流を考慮した3次元数値シミュレーションと表面形状の相関　Relationship between Surface Morphology and Numerical Simulation in Consideration of Marangoni Convection during SiC Solution Growth under a Non-Axisymmetric Temperature Distribution”，
古池大輝，梅崎智典，村山健太，青柳健大，原田俊太，田川美穂，酒井武信，宇治原徹，
11月19日，先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」，ウインクあいち，愛知県，（公社）応用物理学会 先進パワー半導体分科会，2014年11月19日-20日，P-5（ポスター）

“Al-N 同時添加での4H-SiC溶液成長における成長表面安定性と伝導特性　4H-SiC growth from Si-Cr-C solution under Al and N co-doping conditions”，
三谷武志，小松直佳，高橋徹夫，加藤智久，宇治原徹，松本祐司，蔵重和央，奥村元，
11月19日，先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」，ウインクあいち，愛知県，（公社）応用物理学会 先進パワー半導体分科会，2014年11月19日-20日，P-6（ポスター）

“SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の成長表面との相互作用による考察　Consideration of threading dislocation conversion phenomena during the solution growth of SiC based on the interaction between the growth surface and the dislocation”，
原田俊太，肖世玉，村山健太，青柳健大，酒井武信，田川美穂，宇治原徹，
11月19日，先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」，ウインクあいち，愛知県，（公社）応用物理学会 先進パワー半導体分科会，2014年11月19日-20日，P-9（ポスター）

“円偏光レーザー誘起結晶化によるキラリティ制御の可能性”，
新家寛正，村山健太，原田俊太，田川美穂，宇治原徹，
11月6日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日～11月8日，06PS28（ポスター）

“結晶表面の三次元過飽和度および成長速度分布の測定と対流が結晶表面形態に与える影響”，
村山健太，塚本勝男，横山悦郎，宇治原徹，
11月7日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日～11月8日，07aC06（口頭）

“SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察”，
原田俊太，肖世玉，村山健太，青柳健大，酒井武信，田川美穂，宇治原徹，
11月7日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日～11月8日，07aD08（口頭）

“化学平衡計算に基づいた過飽和領域の制御によるAlN単結晶溶液成長”，
永冶仁，陳鳴宇，渡邉将太，竹内幸久，原田俊太，田川美穂，宇治原徹，
11月7日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日～11月8日，07PS08（ポスター）

“4H-SiC溶液成長における各種添加物の成長表面への影響”,
小松直佳，三谷武志，高橋徹夫，加藤智久，蔵重和央，松本祐司，宇治原徹，奥村元，
11月7日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日～11月8日，07PS09（ポスター）

“4H-SiC溶液成長におけるAl-N同時添加が成長表面及び伝導性へ及ぼす影響”，
三谷武志，小松直佳，高橋徹夫，加藤智久，宇治原徹，松本祐司，蔵重和央，奥村元，
11月7日，第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)，学習院創立百周年記念会館, 東京都，2014年11月6日～11月8日，07PS10（ポスター）

“脂質二重膜上におけるDNA被覆金ナノ粒子の拡散現象”，
中田咲子，赤田英里， 磯貝卓巳，手老龍吾，原田俊太，宇治原徹，田川美穂，
9月19日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17 日～20日, [19p-A3-13] (口頭)

“CaFe2As2系超伝導薄膜の透過電子顕微鏡観察”，
川口昂彦，原田俊太，藤本亮 祐，森康博，中村伊吹，畑野敬史，宇治原徹，生田博志，
9月19日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日～20日, [19a-A20-7]（口頭）

“SiCフラックス成長におけるSiC基板/フラックス界面の高温真空レーザー顕微鏡観察”，
小沼碧海，丸山伸伍，原田俊太，宇治原徹，加藤智久，蔵重和央，奥村 元，松本祐司，
9月18日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日～20日, [18a-A11-10]（口頭）

“AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定”，
永冶仁，陳鳴 宇，渡邉将太，竹内幸久，原田俊太，田川美穂，宇治原徹，
9月17日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日～20日, [17p-C5-11]（口頭）

“多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成”，
陳鳴宇，永冶仁，渡邉 将太，竹内幸久，原田俊太，荒井重勇，田川美穂，宇治原徹，
9月17日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日～20日, [17p-C5-10]（口頭）

“SiC溶液成長法における種結晶形状の成長表面への影響と貫通らせん転位変換”，
古池大輝，梅崎智典，原田俊太，田川美穂，酒井武信，宇治原徹，
9月17日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日～20日, [17a-A17-4]（口頭）

“The investigation of step structure with different TSDs conversion behavior during 4H-SiC solution growth”，
肖世玉，原奈津美，原田俊太，宇 治原徹，
9月17日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日～20日, [17a-A17-3]（口頭）

“高品質4H-SiC溶液成長における多形変化抑制メカニズム”，
原田俊太，山本祐 治，村山健太，青柳健大，酒井武信，田川美穂，宇治原徹，
9月17日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学札幌キャンパス, 北海道, 2014年9月17日～20日, [17a-A17-2]（口頭）

“ＤＮＡと基板担持脂質二重膜とを用いたナノ粒子の結晶化”，
田川美穂，
6月21日, 応用物理学会　有機分子・バイオエレクトロニクス分科会　研究会, キャンパスプラザ京都, 京都府（口頭）

“NaClO3 溶液成長におけるアキラル-キラル多形転移を介したキラリティの発生と増幅”，
新家寛正, 原田俊太, 宇治原徹, 三浦均, 木村勇気, 上羽牧夫, 塚本勝男，
5月1日,日本地球惑星科学連合2014年大会, パシフィコ横浜, 神奈川県, 2014年4月28日-5月2日, [MIS36-05]（口頭)

“基板担持脂質二重膜を用いたDNA被覆金ナノ粒子の2次元結晶化”，
磯貝卓巳, 赤田英里, 勝野弘康, Piednoir Agnes, 赤星祐樹, 手老龍吾, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂，
2014年3月29日, 日本化学会第94春季年会, 名古屋大学　 東山キャンパス, 2014年3月27日-3月30日, [3C7-17] (口頭発表)

“可視光励起光電子分光法による半導体中の伝導電子の直接観察”，
市橋史朗，志村大樹，西谷健治， 原真，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹，
3月27日，日本物理学会 第69回年次大会，東海大学 湘南キャンパス，神奈川県，2014年3月27日～30日，[27pAQ-5 1696]（口頭）

“半導体光陰極を用いたTEMの空間コヒーレンス測定”，
桑原真人，南保由人，鮫島健介，楠聡一郎，齋藤晃，宇治原徹，浅野秀文，竹田美和，田中信夫，
3月28日，日本物理学会 第69回年次大会，東海大学 湘南キャンパス，神奈川県，2014年3月27日～30日，[28pAL-7 198]（口頭）

“SiC溶液法C面成長におけるTSD変換”，
肖世玉，原奈津美，原田俊太，宇治原徹，
3月17日，青山学院大学相模原キャンパス，神奈川県，2014年3月17日～20日，2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，[17p-E5-9] (口頭)

“SiC溶液成長における貫通らせん転位変換の弾性エネルギーによる考察”，
原田俊太，肖世玉，原奈都美，勝野弘康，田川美穂，宇治原徹，
3月17日，青山学院大学相模原キャンパス，神奈川県，2014年3月17日～20日，2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，[17p-E5-10] (口頭)

“4H-SiC溶液成長法における凸形状成長による貫通らせん転位の変換挙動”，
古池大輝，梅崎智典，堀尾篤史，原田俊太，田川美穂，宇治原徹，
3月17日，青山学院大学相模原キャンパス，神奈川県，2014年3月17日～20日，2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，[17p-E5-12] (口頭)

“可視光励起光電子分光法による半導体超格子ミニバンド構造の有効質量評価”，
西谷健治，志村大樹，市橋史朗，桒原真人，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹，
3月19日，青山学院大学相模原キャンパス，神奈川県，2014年3月17日～20日，2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，[19p-D7-12] (口頭)