●国際学会
“Reduction of Defects in SiC by Solution Growth for High Performance Power Device”,
S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto, T. Ujihara, J. Yamasaki, N. Tanaka,
January 19, Interational symposium on role of electron microscopy in industry, Nagoya, Aichi, Japan, January 19-20 (2012).

★　”Solution growth of high-quality SiC crystal”,
T. Ujihara,
January 9, INDO-JAPAN Conference on Frontier Nano-Materials for Energy (FNE-2012), Sharda University, Greater Noida, India, Janualy 9-11(2012).

“Solution growth of high-quality SiC crystal – polytype control and defect elimination -“,
T. Ujihara,
December 22, Nagoya Univ.-Tsinghua Univ.-Toyota Motor Corp.-Hokkaido Univ.  Univ. Electro. Sci. Tech. China Joint Symposium – Materials Science and Nanotechnology for the 21th Century – , University of Electronic Science & Technology of China, Chengdu, P. R. China, December 21-24 (2011).

“Formation of Different Polytypes during 4H-SiC Solution Growth”,
S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto, T. Ujihara, J. Yamasaki, N. Tanaka,
December 10, International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS ’11), Nagoya, Aichi, Japan, December 9-12 (2011).

“Injection system of spin-polarized transmission microscopy”,
M. Kuwahara, S. Kusunoki, F. Ichihashi, Y. takeda, K. Saitoh, T. Ujihara, H. Asano, T. Nakanishi, and N. Tanaka,
International Symposium on EcoTopia Science 2011 (ISETS ’11), Nagoya, Aichi, Japan, December 9-12(2011).

★　”Solution growth of high-quality SiC crystal for next-generation power device materials”,
S. Harada, T. Ujihara,
1st Global Conference on Materials and Technology for the Future “Green Vehicle”,
Dortmund, Germany, November 21(2011).

“Polytype transformation path on 4H-SiC during top-seeded solution growth”,
S. Harada, Alexander, K. Seki, Y. Yamamoto and T. Ujihara,
September 29, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), Nagoya, Aichi, Japan, September 28-30 (2011).

“Dissociation of Screw Dislocations Assisted by Step-flow Process in SiC Solution Growth”,
T. Ujihara, S. Kozawa, K. Seki, Y. Yamamoto, Alexander and S. Harada,
September 28, 14th International Conference on Defects – Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP14), Miyazaki, Japan, September 25-29 (2011).

“Conversion Mechanism of Threading Screw Dislocation During SiC Solution Growth”,
T. Ujihara, S. Kozawa, K. Seki, Alexander, Y. Yamamoto, and S. Harada,
September 14, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16 (2011).

“Stable Growth of 4H-SiC Single Polytype by Controlling the Surface Morphology Using a Temperature Gradient in Solution Growth”,
Y. Yamamoto, K. Seki, S. Kozawa, Alexander, S. Harada, and T. Ujihara,
September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16 (2011).

“Polytype-Controlled Solution Growth of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by Supersaturation in Si-Sc-C Ternary System”,
K. Seki, Alexander, S. Kozawa, Y. Yamamoto, T. Ujihara, and Y. Takeda,
September 12, The 2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland, Ohio, USA, September 11-16 (2011).

“Development of spin-polarized and pulsed TEM”,
M. Kuwahara, T. Nakanishi, Y. Takeda, K. Saito, T. Ujihara, H. Asano, and N. Tanaka,
Electron Microscopy and Analysis Group Conference 2011, Birmingham, UK, September 6-9(2011).

“Improvement of reaction rate in AlN solution growth by Mg vapor supply”,
K. Mizuno, T. Ujihara, Y. Takeda, Y. Aoki, Y. Takeuchi,
July 11, 9th International Conference on Nitride Semiconductors, Glasgow, UK, July 10-15 (2011).

“Polytype-Selective Growth of SiC by Supersaturation Control in Solution Growth”,
K. Seki, Alexander, S. Kozawa, T. Ujihara, Y. Takeda,
June 29, 5th International Workshop on Crystal Growth Technology(IWCGT-5), Berlin, Germany, June 26-30 (2011).

●国内学会
“BaFe2(As,P)2超伝導薄膜のMBE成長と超伝導接合の作製”,
坂上彰啓,川口昂彦,大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志,
早稲田大学 早稲田キャンパス, 東京都, 3月16日, 2012年3月15日-18日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 16p-B1-3.

“SiC溶液成長における貫通らせん転位低減の促進”,
原田俊太,山本祐治,関　和明,堀尾篤史,三橋貴仁,宇治原徹,
早稲田大学 早稲田キャンパス, 東京都, 3月17日, 2012年3月15日-18日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 17p-A8-2.

“温度差を用いた成長速度増大による3C-SiCバルク成長”,
関　和明,山本祐治,原田俊太,宇治原徹,竹田美和,
早稲田大学 早稲田キャンパス, 東京都, 3月17日, 2012年3月15日-18日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 17p-A8-3.

“中間バンド型太陽電池における超格子構造の周期性がミニバンドに及ぼす影響”,
志村大樹,橋本和弥,桑原真人,松波雅治,伊藤孝寛,木村真一,酒井武信,原田俊太,竹田美和,宇治原徹,
早稲田大学 早稲田キャンパス, 東京都, 3月18日, 2012年3月15日-18日, 公益社団法人応用物理学会　2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 18p-C1-3.

“SiC 溶液成長における貫通転位の変換過程　ーUltra-High Quality の可能性ー”,
宇治原徹,原田俊太,山本祐治,関和明,堀尾篤史,三橋貴仁,
愛知県産業労働センター(ウインクあいち), 愛知県,12月9日, 公益社団法人応用物理学会　第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2011年12月8日-9日. Ⅱ-3

“成長速度論的多形選択成長を用いた3C-SiCバルク結晶の実現”,
関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和,
愛知県産業労働センター(ウインクあいち), 愛知県,12月9日, 公益社団法人応用物理学会　第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2011年12月8日-9日. P-15

“溶液法を用いた4H-SiC結晶における貫通らせん転位の消滅”,
山本祐治, 原田俊太, 関和明, 堀尾篤史, 三橋貴仁, 宇治原徹,
愛知県産業労働センター(ウインクあいち), 愛知県,12月9日, 公益社団法人応用物理学会　第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2011年12月8日-9日. P-16

“MBE法によるNdFeAs（O,F）上へのCaF2絶縁膜成長”,
上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志,
つくば国際会議場, 茨城県, 11月4日, 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）,日本結晶成長学会, 2011年11月3日-5日.04PS28

“溶液成長における4H-SiC上での多形変化挙動”,
原田俊太, アレキサンダー, 関和明, 山本祐治, 宇治原徹,
つくば国際会議場, 茨城県, 11月5日, 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）,日本結晶成長学会, 2011年11月3日-5日. 05aB02

“SiC溶液成長における転位変換過程”,
宇治原徹, 小澤茂太, 山本祐治, 関和明, 原田俊太,
つくば国際会議場, 茨城県, 11月5日, 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）,日本結晶成長学会, 2011年11月3日-5日. 05aB03

“6H-SiC上への3C-SiC溶液成長における速度論的多形選択メカニズム”,
関和明, 山本祐治, 原田俊太, 宇治原徹, 竹田美和,
つくば国際会議場, 茨城県, 11月5日, 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）,日本結晶成長学会, 2011年11月3日-5日. 05aB04

“AlN溶液成長においてMg蒸気圧が融液の窒化に与える影響”,
水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和,
つくば国際会議場, 茨城県, 11月5日, 第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）,日本結晶成長学会, 2011年11月3日-5日. 05aB10

“Al融液窒化法における高密度AlN形成メカニズム”,
水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和,
北海道大学, 北海道, 9月9日, 公益社団法人日本セラミックス協会 第24回秋季シンポジウム, 2011年9月7日-9日, 3E03.

“過飽和度制御による6H-SiC(0001)上への3C-SiC溶液成長”,
関 和明,山本祐治,原田俊太,宇治原徹,竹田美和,
山形大学　小白川キャンパス, 山形県, 8月30日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 30a-ZB-1.

“SiC溶液成長における貫通らせん転位分解メカニズム”,
宇治原徹,小澤茂太,関　和明,山本祐治,原田俊太,
山形大学　小白川キャンパス, 山形県, 8月30日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 30a-ZB-2.

“MBE法によるBaFe2(As,P)2超伝導薄膜の成長”,
坂上彰啓,川口昂彦,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志,
山形大学　小白川キャンパス, 山形県,8月31日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-8.

“NdFeAs(O,F)薄膜の超伝導特性の基板依存性”,
上村彦樹,川口昂彦,大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志,
山形大学　小白川キャンパス, 山形県, 8月31日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-9.

“MBE成長したNdFeAsO薄膜へのフッ素ドーピング”,
川口昂彦,上村彦樹,大野俊也,田渕雅夫,宇治原徹,竹田美和,生田博志,
山形大学　小白川キャンパス, 山形県, 8月31日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZT-10.

“AlGaAs中間層及びSi3N4反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上”,
市橋史朗,金 秀光,山本尚人,真野篤志,桑原真人,渕 真悟,宇治原徹,竹田美和,
山形大学　小白川キャンパス, 山形県, 8月31日, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年8月29日-9月2日, 31a-ZA-13.

“酸化物基板表面上の細胞膜モデルシステム：支持平面脂質膜のダイナミクスと基板表面の影響”,
手老龍吾,佐崎 元, 宇治原徹, 宇理須恒雄,
応用物理学会　有機分子・バイオエレクトロニクス分科会　研究会, 神戸大学, 2011年6月24-25日.

“スピン編極パルス透過電子顕微鏡の開発2”、
田中信夫、中西彊、竹田美和、浅野秀文、齋藤晃、宇治原徹、桑原真人、
日本顕微鏡学会第67回学術講演会, 福岡, 5月17日, 2011年5月16-18日.

“スピン偏極パルスTEM用電子源と照射系の開発”,
桑原真人, 中西 彊, 竹田美和, 浅野秀文, 齋藤晃, 宇治原徹, 田中信夫,
福岡国際会議場, 福岡県, 5月16日, 日本顕微鏡学会第６７回学術講演会, 2011年5月16-18日.

“MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と評価”,
上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹田美和, 生田博志,
第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日.

“TEM法による超格子の層厚変調のメカニズムの解析”,
金 秀光, 中原弘貴, 斎藤 晃, 坂 貴, 宇治原徹, 田中信夫, 竹田美和,
第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日.

“溶液成長における4H-SiC(0001)面上の成長多形変化過程の観察”,
アレキサンダー, 関 和明, 小澤茂太, 山本裕治, 宇治原徹, 竹田美和,
第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日.

“溶液成長により作製したSiC結晶の転位挙動解析”,
小澤茂太, 関 和明, 山本祐治, Alexander, 宇治原徹, 竹田美和,
第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日.

“溶液法によるSiC結晶成長　ー多形制御・結晶性ー”,
宇治原徹,
第58回 応用物理学関係連合講演会, 神奈川工科大学, 2011年3月24-27日.

“Mg気相供給を用いた多結晶AlNの溶液成長”,
水野恒平, 松原弘明, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久,
日本セラミックス協会 2011年 年会, 静岡大学, 浜松キャンパス, 2011年3月16-18日.

“放射光トポグラフィーによるSiC溶液成長における転位挙動解析”,
小澤 茂太, 関 和明, 山本祐治, Alexander, 宇治原徹, 山口博隆, 竹田美和,
ＰＦ研究会「Ｘ線トポグラフィーの現状と展望」, 高エネルギー加速器研究機構, つくば, 2011年1月11-12日.