●国際学会
“Growth of Transmission-type photocathode based on a GaAs-GaAsP strained superlattice for real time SPLEEM”,
T. Ujihara, X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, Y. Takeda, N. Yamamoto, A. Mano,Y. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, T. Kato, M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa, T. Ohshima, T. Kohashi and H. Horinaka,
7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009).

“Development of high brightness and highly spin polarized low energy electron microscope”,
T. Yasue, M. Suzuki, M. Hashimoto, M. Kuwahara, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, T. Nakanishi, X.G. Jin, N. Yamamoto, T. Ujihara, Y. Takeda, M. Yamamoto, T. Ohshima, T. Kohashi, T. Saka, T. Kato, H. Horinaka, and T. Koshikawa,
7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009).

“Strain of GaAs/GaAsP superlattices used as spin-polarized electron photocathodes, determined by X-ray diffraction”,
T. Saka, Y. Ishida, M. Kanda, X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, T.Ujihara Y. Takeda, T. Matsuyama, H. Horinaka, T. Kato, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, M. Kuwahara, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Yamamoto, T. Ohshima, T. Kohashi, M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa,
7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009).

“High brightness and highly polarized electron beam for real-time measurement in SPLEEM”,
M. Kuwahara, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, T. Nakanishi, M.Suzuki, T. Yasue, T. Koshikawa, X.G. Jin, N. Yamamoto, T. Ujihara, Y. Takeda, M. Yamamoto, T. Ohshima, T. Kohashi, T. Saka, T. Kato and H. Horinaka,
7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009).

“Real time observation of growth process of magnetic thin films by SPLEEM with high brightness and high spin-polarized electron source”,
M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa, Y. Nakagawa, A. Mano, N. Yamamoto, M. Yamamoto, T. Konomi, M. Kuwahara, S. Okumi, T. Nakanishi, X.G. Jin, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, T. Kohashi, T. Ohshima, T. Saka, T. Kato and H. Horinaka,
7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009).

“MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF NdFeAsO THIN FILMS”,
T. Kawaguchi, H. Uemura, T. Ohno, R. Watanabe, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka, Y. Takeda, H. Ikuta,
22nd INTERNATIONAL SYMPOSIUM OF SUPERCONDUCTIVITY (ISS22), Tsukuba, Japan, November 2-4 (2009).

“CHARACTERIZATION AND THE PHYSICAL PROPERTIES OF MBE GROWN NdFeAsO THIN FILMS”,
H. Uemura, T. Kawaguchi, T. Ohno, R. Watanabe, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka, Y. Takeda, H. Ikuta,
22nd INTERNATIONAL SYMPOSIUM OF SUPERCONDUCTIVITY (ISS22), Tsukuba, Japan, November 2-4 (2009).

“Stacking Faults Induced by Polytype Transformation in 6H-SiC Grown on 3C-SiC with Solution Growth”,
K. Seki, K. Morimoto, T. Ujihara, T. Tokunaga, K. Sasaki, K. Kuroda, Y. Takeda,
13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009), Nuremberg, Germany, October 11-16 (2009).

“Large-area 3C-SiC crystal grown on 6H-SiC substrate by solution growth”,
T. Ujihara,　K. Seki,　R. Tanaka,　Y. Takeda,
13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM2009), Nuremberg, Germany, October 11-16 (2009).

“Polytype-Stabilized Solution Growth of 3C-SiC”,
T. Ujihara,　K. Seki,　R. Tanaka,　Y. Takeda,
2009 International Conference on. Solid State Devices and Materials. (SSDM 2009),Sendai, Japan, October 7-9 (2009).

“Development of super-high brightness and high spin-polarization photocathodes for SPLEEM, ERL, and ILC”,
X.G. Jin, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi ,
Second HOPE Meeting, Hakone, Japan, September 27 – October 1 (2009).

“TEM investigation on structural perfection of GaAs/GaAsP strained superlattice for high-performance spin-polarized electron source”,
X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, S. Okumi, T. Nakanish,
10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-10), Wed1245, Granada, Spain, September 21-25 (2009).

“Growth of Epitaxial NdFeAsO Thin Films by Molecular Beam Epitaxy and their Characterization”,
H. Ikuta, T. Kawaguchi, H. Uemura, T. Ohno, R. Watanabe, M. Tabuchi, T. Ujihara, K. Takenaka and Y. Takeda ,
9th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductoivity, Tokyo, Japan, September 7-12 (2009).

“Active Control of Gel-Phase and Raft Domain Condensation in Supported Lipid Bilayer”,
T. Ujihara,
2nd International Symposium on Nanomedicine (ISNM2009) Asian Core Symposium -Nano and Biomedical Molecular Science-, Okazaki, Japan, February 5-7 (2009).

●国内学会
“6H-SiC(0001)上に溶液成長した3C-SiC の表面モフォロジー”,
関 和明, アレキサンダー, 小澤茂太, 宇治原徹, 竹田美和,
第18回(2009年）SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会, 神戸国際会議場, 兵庫神戸市, 2009年12月17-18日.

“6H-SiC(0001)面上への3C-SiC溶液成長”,
小澤茂太, 関 和明, アレキサンダー, 宇治原徹, 竹田美和,
第39回結晶成長国内会議, 名古屋大学, 2009年11月12-14日.

“MBEによるGaAs基板(001)面上へのNdFeAs(O,F)超伝導薄成長”,
上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 渡邉諒太郎, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志,
第39回結晶成長国内会議, 名古屋大学, 2009年11月12-14日.

“一方向に優先的に成長する樹枝状二次元島の研究－ Kinetic Monte-Carlo Simulationによる再現 －”,
菊田翔平, 神部拓也, 西田幸司, 高岸洋一, 平井 豪, 宇治原徹, 中田俊隆,
第39回結晶成長国内会議, 名古屋大学, 2009年11月12-14日.

“TEMによるスピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子構造の結晶性の評価”,
金 秀光, 前多悠也, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和,
第39回結晶成長国内会議, 名古屋大学, 2009年11月12-14日.

“溶液成長によってCVD製3C-SiC基板上に成長させた結晶のTEM解析”,
森本 海, 関 和明, 徳永智春, 宇治原徹, 佐々木勝寛, 黒田光太郎,
日本金属学会東海支部　第19回学生による材料フォーラム, 豊橋サイエンスコア, 愛知県, 2009年11月13日.

“MBE法による鉄ヒ素系薄膜の作製”,
川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 渡邉諒太郎, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志,
日本物理学会2009年秋季大会, 熊本大学黒髪キャンパス, 2009年9月10-13日, 26aPS-108.

“3C/6H-SiCヘテロ界面に誘起された積層欠陥のTEM観察”,
関 和明, 森本 海, 宇治原徹, 徳永智春, 佐々木勝寛, 黒田光太郎, 竹田美和,
第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.

“スピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子構造における層厚の変調と偏極度への影響”,
金 秀光, 前多悠也, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和,
第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.

“超高輝度・高スピン偏極度フォトカソード”,
金 秀光, 山本尚人, 中川靖英, 真野篤志, 加藤鷹紀, 谷奥雅俊, 宇治原徹, 竹田美和, 山本将博, 奥見正治, 中西 彊, 坂 貴, 堀中博道, 加藤俊宏, 安江常夫, 越川孝範,
第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.

“光照射による人工脂質二重膜相分離ドメイン凝集制御における光強度の影響”,
内田昌志, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和,
第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.

“高偏極度・高輝度電子源を用いたSPLEEMによる実時間磁区観察”,
鈴木雅彦, 橋本道廣, 安江常夫, 越川孝範, 中川靖英, 真野篤志, 山本尚人, 山本将博, 許斐太郎, 桑原真人, 奥見正治, 中西 彊, 金 秀光, 加藤鷹紀, 谷奥雅俊, 宇治原徹, 竹田美和, 孝橋照生, 大島 卓, 坂 貴, 加藤俊宏, 堀中博道,
第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.

“MBE法によるNdFeAsO薄膜の成長と評価(I)”,
川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 渡邉諒太郎, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志,
第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.

“MBE法によるNdFeAsO薄膜の成長と評価(II)”,
上村彦樹, 川口昂彦, 大野俊也, 渡邉諒太郎, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志,
第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.

“溶液成長法の基礎とＳｉＣ結晶成長への応用”,
宇治原徹,
「ＳｉＣ単結晶成長、基板の開発・加工技術」セミナー, 東京都, 2009年8月31日.

“溶液法の基礎とSiC結晶成長への応用”,
宇治原徹,
第14回東海支部基礎セミナー「先端材料開発のための結晶成長の基礎と応用」, 2009年6月24日.

“4H-SiC溶液成長における固液界面エネルギーの面方位依存性と成長多形との関係”,
宇治原徹, 田中 亮, 関 和明, 竹田美和,
第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日.

“SiC溶液成長におけるSi溶媒への第三元素(Al, Sc)添加と多形変化”,
関 和明, 田中 亮, 宇治原徹, 竹田美和,
第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日.

“6H-SiC(0001)基板上への3C-SiC(111)バルク結晶の溶液成長”,
関 和明, 田中 亮, 宇治原徹, 竹田美和,
第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日.

“TEMとAFMによるスピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子の結晶性の評価”,
金 秀光, 谷奥雅俊, 前多悠也, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 山本尚人, 中川靖英, 山本将博, 奥見正治, 中西 彊,
第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日.

“単結晶TiO2(100)表面上での吸着脂質ベシクルの形状変化への基板材料および光照射の影響”,
手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄,
第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日.

“固体基板上脂質二重膜における光照射による相分離ドメイン局所形成メカニズムの検討”,
宇治原徹, 山内庸詞, 内田昌志, 手老龍吾, 竹田美和,
第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日.

“MBE法によるNdFeAsO薄膜の作製”,
川口昂彦, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志,
第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, 茨城県, 2009年3月30日-4月2日.