●国際学会
“Super-high brightness spin-polarized transmission photocathode based on GaAs-GaAsP strained superlattice structure on GaP substrate”,
X.G. Jin, Y. Nakagawa, N. Yamamoto, A. Mano, T. Kato, M. Tanioku, T. Ujihara, Y. Takeda, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, H. Horinaka, T. Yasue, and T. Koshikawa,
9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Komaba Research Campus of the University of Tokyo, Tokyo, Japan, November 11-15 (2007), 13Ap 1-4.oral.

“Polarization improvement of spin-polarized electrons from strain-compensated GaAs/GaAsP superlattice photocathode”,
T. Kato, R. Sakai, M. Tanioku, Y. Nakagawa, Y. Maeda, X.G. Jin, S. Fuchi, M. Yamamoto, T. Ujihara, Y. Takeda, and T. Nakanishi,
9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Komaba Research Campus of the University of Tokyo, Tokyo, Japan, November 11-15 (2007), 13Ap 1-5. oral.

“Stability Growth Condition for 3C-SiC Crystals by Solution Technique”,
T. Ujihara, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda and Y. Takeda,
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu, Japan, October 15-19 (2007).

“Low Temperature Solution Growth of 3C-SiC Crystals in Si-Ge-Ti Solvent”,
R. Tanaka, T. Ujihara and Y. Takeda,
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu, Japan, October15-19 (2007).

“Supported lipid bilayers membranes on SiO2 and TiO2:Substrate effects on membrane formation and shape transformation”,
R. Tero, T. Ujihara and T. Urisu,
SPIE Optics East, Boston, MA, USA, September 8-12 (2007).

“Supported planar lipid bilayers on step-and-terrace TiO2 surfaces”,
R. Tero, T. Ujihara and T. Urisu,
American Chemical Society 234th National Meeting and Expositionl, Boston, MA, USA, August 25-29 (2007).

“Effect of Si-Ti solvent on growth rate improvement in SiC solution growth”,
R. Tanaka, R. Maekawa, T. Ujihara and Y. Takeda,
15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007).

“Solution growht of high quality 3C-SiC crystals”,
T. Ujihara, R. Maekawa, R. Tanaka, K. Sasaki, K. Kuroda and Y. Takeda,
15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007).

“Effect of absorbed group-V atoms on the size distribution and optical properties of InAsP quantum dots fabricated by the droplet hetero-epitaxy”,
S. Fuchi, S. Miyake, S. Kawamura, W.S. Lee, T. Ujihara and Y. Takeda,
15th International Conference on Crystal Growth, q05, Salt Lake City, Utah, USA, August 12-17 (2007).

“Supported planar lipid bilayers on TiO2 and SiO2 surfaces: Effects of surface atomic structures and chemical species”,
R. Tero, T. Ujihara, H. Watanabe and T. Urisu,
American Chemical Society 233rd National Meeting and Exposition, Chicago, IL US, March 25-29 (2007).

“Desorption time of As adsorbed on GaInAs surface analyzed by X-ray CTR scattering”,
A. Mori, Y. Ohtake, T. Ujihara, M. Tabuchi, and Y. Takeda,
19th International Conference on Indium Posphide and Related Materials (IPRM07), PB29, Kunibiki Messe, Matsue, Japan, May 14-18 (2007).

●国内学会
“Fabrication of DMPC-DOPC Lipid Binary Bilayers Supported on SiO2/Al/Si Substrate for Electrical　Control of Phase-Separated Structure”,
Y. Yamauchi, S. Suzuki, T. Ujihara, R. Tero and Y. Takeda,
第18回日本MRS学術シンポジウム, 日本大学理工学部駿河台校舎, 2007年12月7-8日.

“3C-SiC溶液成長における結晶多形安定性”,
宇治原徹, 田中 亮, 関 和明, 竹田美和,
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会, 愛知県女性総合センター（ウィルあいち）, 2007年11月29-30日.

“高濃度Ca2+緩衝液を用いたベシクル展開法による平面状脂質二重膜の形成”,
鈴木翔也, 山内庸詞, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和,
応用物理学会, 2007年秋季学術講演会, 北海道工業大学, 2007年9月4-8日, 5p-P8-13.

“Supported planar lipid bilayerのドメイン形状への基板表面構造の影響”,
手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄,
応用物理学会, 2007年秋季学術講演会, 北海道工業大学, 2007年9月4-8日, 4p-P4-22.

“SiCの溶液成長速度向上におけるSi-Ti溶媒の効果”,
田中 亮, 前川諒介, 宇治原徹, 竹田美和,
応用物理学会, 2007年秋季学術講演会, 北海道工業大学, 2007年9月4-8日, 4a-T-3.

“分離閉じ込め構造による電流注入型Er, O共添加GaAs発光デバイスの発光強度増大”,
田中雄太, 宇木大輔, 山口岳宏, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和,
第68回応用物理学会学術講演会, 北海道工業大学, 北海道札幌市, 2007年9月4-8日, 4p-ZK-3.

“Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5 μm帯の電流注入による発光強度の増大”,
宇木大輔, 山口岳宏, 田中雄太, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和,
電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 静岡県浜松市, 静岡大学浜松キャンパス, 2007年5月24-25日.

“歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上”,
加藤鷹紀, 酒井良介, 谷奥雅俊, 中川靖英, 前田義紀, 金 秀光, 渕 真悟, 山本将博, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和,
電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 静岡県浜松市, 静岡大学浜松キャンパス, 2007年5月24-25日.

“SiO2/Si基板上DMPC-DOPC脂質二重膜における相分離ドメインの光照射による形成位置制御”,
鈴木翔也, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和,
日本化学会, 第87春季年会, 関西大学千里山キャンパス, 2007年3月27日, 2K5-40.

“3C-SiC 種結晶上への溶液成長と成長面による結晶多形変化”,
田中 亮, 前川諒介, 宇治原徹, 竹田美和,
日本金属学会, 2007年春期講演大会, 千葉工業大学津田沼キャンパス, 2007年3月27日.

“高輝度・高スピン偏極度を有する電子源の開発”,
山本尚人, 真野篤志, 玉垣邦秋, 奥見正治, 山本将博, 桑原真人, 酒井良介, 森野貴典, 宇津 輝, 中西 彊, 大嶋 卓, 金 秀光, 宇治原徹, 竹田美和, 安江常夫, 越川孝範, 堀中博道, 坂 貴, 加藤俊宏,
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 29p-ZV-10.

“歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源のバンド構造と偏極度への影響”,
加藤鷹紀, 酒井良介, 谷奥雅俊, 中川靖英, 前田義紀, 金 秀光, 渕 真悟, 山本将博, 宇治原徹, 中西 彊, 竹田美和,
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 29p-ZV-11.

“基板表面原子レベル構造がsupported planar lipid bilayerの構造に及ぼす効果”,
手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄,
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 28a-ZG-5.

“SiO2/Si上に形成した脂質二重膜相分離ドメインのその場選択形成-光による局所加熱-”,
鈴木翔也, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和,
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 30a-SB-7.

“ケルビンプローブフォース顕微鏡による多結晶シリコン太陽電池の局所的光起電力評価”,
瀧原昌輝, 五十嵐考俊, 宇治原徹, 高橋琢二,
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 27a-ZK-8.

“ケルビンプローブフォース顕微鏡による多結晶シリコン太陽電池の少数キャリア拡散長測定”,
瀧原昌輝, 宇治原徹, 高橋琢二,
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 27a-ZK-9.

“液滴ヘテロエピタキシーにより作製したInAsP量子ドットの発光特性　-ガスフローシーケンスの影響-”,
三宅信輔, 河村真一, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和,
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 29a-Q-1.

“断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布：InP層厚依存性 II”,
叶 保明, 山川市朗, 李 祐植, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和, 中村新男,
2007年春季 第54回応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日, 29a-Q-5.