●国際学会
“Supported phospholipid bilayers on SiO2 and TiO2 surfaces: Effects of surface chemical species and atomic structures”,
R. Tero,H. Watanabe,T. Ujihara,T. Urisu,
Fifth East Asian Biophysics Symposium & Forty-Fourth Annual Meeting of the Biophysical Society of Japan (EABS & BSJ 2006), Okinawa, Japan, November 12-16 (2006). (ポスター)

“Formation of domains in fluorescent lipids doped DMPC-DOPC binary bilayers supported on SiO2/Si substrates under local light irradiation”,
S. Suzuki,T. Ujihara,R. Tero,Y. Takeda,
Fifth East Asian Biophysics Symposium & Forty-Fourth Annual Meeting of the Biophysical Society of Japan (EABS & BSJ 2006), Okinawa, Japan, November 12-16 (2006).(ポスター)

“High density beam extraction from GaAs/GaAsP superlattice photocathode”,
M. Yamamoto, N. Yamamoto, R. Sakai, A. Utsu, T. Nakanishi, S. Okumi, M. Miyamoto, M. Kuwahara, T. Morino, K. Tamagaki, A. Mano, M. Kuriki, F. Furuta, T. Ujihara, and Y. Takeda,
17th International Spin Physics Symposium (SPIN2006), Kyoto, Japan, October 2-7 (2006).

“Local Characterization of Photovoltage on Polycrystalline Silicon Solar Cells by KFM with Piezo-resistive Cantilever”,
M. Takihara, T. Igarashi, T. Ujihara and T. Takahashi,
2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), Yokohama, Japan, September 12-15 (2006). (ポスター)

“Room-temperature optical gain at 1.54μm from Er,O-codoped GaAs with laser pumping”,
T. Yamaguchi, Y. Takemori, H. Ohnishi, A. Koizumi, T. Ujihara and Y. Takeda,
13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIII), Miyazaki, Japan, May 22-26 (2006).(口頭)

“Effect of Li doping on photoluminescence from Er,O-codoped GaAs”,
D. Uki, H. Ohnishi, T. Yamaguchi, Y. Takemori, A. Koizumi, T. Ujihara and Y. Takeda,
13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XIII), Miyazaki, Japan, May 22-26 (2006).

“Evaluation of Strain Field around SiC Particle in Poly-Crystalline Silicon”,
T. Ujihara, T. Ichitsubo, N. Usami, K. Nakajima, Y. Takeda,
2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC4), Waikoloa , Hawaii, USA, May 7-12 (2006) .(ポスター)

“The wideband light emission around 720 nm from ternary InAsP quantum dots with an intentionally broadened size and composition distribution”,
S. Miyake, W. S. Lee, T. Ujihara and Y. Takeda,
The 18th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM06), Princeton University, Princeton, NJ, USA, May 7-11 (2006) .(ポスター)

“Observation and control of phase separation in binary lipid bilayer membranes on semiconductor substrate”,
T. Ujihara, S. Suzuki, R. Tero, Y. Takeda,
the 6th International Symposium on Biomimetic Materials Processing (BMMP-6), Nagoya, Japan, January 25-26 (2006). (ポスター)

●国内学会
“GaAs基板上に成長した有機薄膜に対する表面酸化物の影響”,
神部拓也, 西田幸司, 本同宏成, 久保貴資, 宇治原徹, 中田俊隆,
第３６回結晶成長国内会議（NCCG-36）, 大阪大学, 吹田キャンパス, 2006年11月1-3日, 03aD01.

“単原子ステップTiO2表面上のsupported lipid bilayer形成”,
手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄,
第５９回コロイドおよび界面化学討論会, 北海道大学, 2006年9月13-15日, P133.

“自己検知型カンチレバーを用いたKFMによる多結晶シリコン太陽電池の局所的光起電力評価”,
瀧原昌輝, 五十嵐孝俊, 宇治原徹, 高橋琢二,
2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日, 30a-Y-9.

“SiO2/Al/Si基板上への脂質二重膜の形成と基板表面ラフネスの影響”,
鈴木翔也, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和,
2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日, 31a-RB-7.

“シングルステップ二酸化チタン表面上へのリン脂質二重膜堆積”,
手老龍吾, 宇治原徹, 宇理須恒雄,
2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日, 31a-RB-8.

“断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布：InP層厚依存性”,
叶 保明, 山川市朗, 李　祐植, 宇治原徹, 竹田美和, 中村新男,
2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日, 31a-ZF-3.

“InAsP量子ドットによる広帯域発光の波長チューニング”,
三宅信輔, 李 裕植, 河村真一, 渕 真悟, 宇治原徹, 竹田美和,
2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日, 31a-ZF-5.

“温度勾配を利用した高品質3C-SiC結晶の溶液成長”,
前川諒介, 渡辺賢司, 宇治原徹, 黒田光太郎, 竹田美和,
2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, びわこ・くさつキャンパス）, 2006年8月29日-9月1日, 30p-ZG-4.

“GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化”,
宇治原徹, 陳 博, 安井健一, 酒井良介, 山本将博, 中西 彊, 竹田美和,
電子情報通信学会, 電子デバイス/電子部品・材料/シリコン材料・デバイス研究会, 愛知県豊橋市, 豊橋技術科学大学, 2006年5月18-19日.

“Er, Li共添加GaAsにおけるLiのPL発光に及ぼす影響”,
宇木大輔, 大西宏幸, 山口岳彦, 武森祐貴, 小泉淳, 宇治原徹, 竹田美和,
第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学, 2006年3月22-26日.

“Si/SiO2基板上に形成した二元系脂質二重膜のゲル相―液晶相相分離構造の観察と制御”,
鈴木翔也, 宇治原徹, 手老龍吾, 竹田美和,
2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 22p-I-9.

“GaAs 基板上の脂質二重膜の形成における基板表面状態の影響”,
宇治原徹, 手老龍吾, 鈴木翔也, 三宅信輔, 李 祐植, 宇理須恒雄, 竹田美和,
2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 22p-I-10.

“Er, Li共添加GaAsにおけるLiのPL発光に及ぼす効果”,
宇木大輔, 大西宏幸, 山口岳宏, 武森祐貴, 小泉 淳, 宇治原徹, 竹田美和,
2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 23p-ZR-11.

“光励起型VSL法によるEr,O共添加GaAsの利得測定”,
山口岳宏, 武森祐貴, 大西宏幸, 小泉 淳, 宇治原徹, 竹田美和,
2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 23p-ZR-12.

“断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布：井戸層厚依存性”,
赤沼泰彦, 山川市朗, 李 祐植, 宇治原徹, 竹田美和, 中村新男,
2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 22a-Q-10.

“サイズ分布とAs/P組成分布に広がりを持つInAsP量子ドットによる850 nm帯広帯域発光”,
三宅信輔, 李 祐植, 宇治原徹, 竹田美和,
2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス, 2006年3月22-26日, 25p-T-16.

“温度勾配を設けた溶液成長による低温安定相 3C-SiC 結晶の大量成長”,
前川諒介, 宇治原徹, 竹田美和,
日本金属学会2006年春期大会（第138回）, 早稲田大学, 大久保キャンパス, 2006年3月21-23日.