“High Quality SiC Single Crystal Grown by Soltion Growth Method”，
T. Ujihara,
November 24, 2016 Fall Meeting of the Korean Ceramics Society, soul Korea, November 23-25(2016), invited.

“Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth”，
T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa,
October 7, The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016)，Nagoya Japan，October 6-8(2016), invited.

“Enantioselective bias on circularly polarized laser-induced chiral crystallization from NaClO3 solution with plasmonic Ag nanoparticles”,
H. Niinomi, T. Sugiyama, M. Tagawa, M. Maruyama, T. Omatsu, T. Ujihara, Y. Mori,
August 12, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Fr-G09-2, invited.

“Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy”,
T. Ujihara, C. Zhu, K. Murayama, S. Harada, M.Tagawa,
August 8, 2016, the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya Japan, August 7-12, Mo1-G04-1, invited.

“溶液法による高品質 SiC 結晶成長とその必要性”，
松本 利希，川口 昂彦，畑野 敬史，原田 俊太，飯田 和昌，宇治原 徹，生田 博志，
第27回シリサイド系半導体研究会，2016年3月22日，小山台会館，2016年3月22日，(招待講演).

“成長過程における転位変換現象を利用した高品質 SiC 溶液成長”,
宇治原徹,
材料の微細組織と機能性第133委員会　第230回研究会, 東京理科大学　森戸記念館, 2016年1月30日, ＜招待講演＞