“転位変換現象を利用した超高品質 SiC 結晶の溶液成長”,
宇治原徹,
2015年第35回表面科学学術講演会／第56回真空に関する連合講演会　真空・表面科学合同講演会　合同シンポジウム「パワーデバイスにおけるワイドキャップ半導体の最前線」, つくば国際会議場, 2015年12月1日～3日, 1Bp01, 2015年12月1日,《依頼講演》.

“やるかやらないか～リーダーシップとは何か？～”,
宇治原徹,
名古屋大学リーディング大学院プログラム　Joint Symposium, 名古屋大学東山キャンパス, ES総合館ESホール, 2015年11月3日, 基調講演.

“Introduction of SiC Solution Growth‐in comparison with other growth methods”,
T. Ujihara,
October 4, 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015), Giardini Naxos, Italy, October 4-9, (2015), Tutorial Program, oral.

“新第6次産業革命とは・・「人と技術の融合」の必要性”,
宇治原徹,
第76回応用物理学会秋季学術講演会特別シンポジウム,名古屋国際会議場　センチュリーホール（約3000人）, 2015年9月16日.

“SiC溶液成長過程における欠陥変換メカニズムの解明と超高品質結晶の実現”,
宇治原徹,
2015年8月8日, 第71回マテリアルズ・テーラリング研究会, 長野県, （公財）加藤山崎教育基金　軽井沢研修所, 2015年8月8日-9日.

“Car Materials and Processing”,
T.Ujihara,
Nagoya University, RWDC Summer School Program in Istanbul Technical University, Turkey, 30 June, 28 June-11 July, (2015).

“Ultra high quality SiC crystal grown by solution method”,
T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai,
June 16, 11th CMCEE, Hyatt Regency Vancouver, BC Canada, June 14-19, (2015), CMCEE-T4-S5-018-2015.

“Development of Visible-Light Photoemission Spectroscopy for the Evaluation of Conduction Bands in Semiconductors”,
T. Ujihara,
May 29, BIT’s 4th Annual World Congress of Advanced Materials-2015 (WCAM-2015),
Chongqing International Convention & Exhibition Center, Chongqing, China, May 27-29, (2015),Sector 10-1.

“High quality SiC crystal grown by solution method”,
T. Ujihara,
International Conference on Chemical, Materials and Bio-Sciences for Sustainable Development(ICCMBSD-2015), January 10, Walchand College of Arts and Science, Solapur, Mumbai, India, January 8-10, (2015).